长鑫科技旗下北京集电存储增资至约601.8亿元

长鑫集电（北京）存储技术有限公司发生工商变更，注册资本由约508.5亿元增至约601.8亿元，增幅约18%。该公司是国产DRAM龙头长鑫科技北京基地的运营主体，此次增资是长鑫科技2026年7月登陆科创板后，在北京基地的又一资本动作。

长鑫集电（北京）存储技术有限公司成立于2016年8月，法定代表人为赵纶。

长鑫集电并非独立IPO主体，真正于2026年7月27日在上交所科创板上市的是其母公司长鑫科技，股票代码688825。

长鑫科技采用IDM模式，覆盖DRAM设计、制造及后道测试等环节，目前已在合肥、北京形成12英寸DRAM晶圆制造双基地布局。

全球DRAM供给结构正在发生变化。三星、SK海力士、美光等头部厂商将更多产能投向高带宽内存（HBM），面向智能手机、PC、服务器等领域的通用DRAM供给随之趋紧。长鑫存储当前重点仍集中在标准DRAM产品，有望在通用内存市场形成补位。

产品方面，长鑫存储已实现DDR5、LPDDR5X量产。

从资本动作看，长鑫科技上市后仍在持续加码产能和研发。除北京集电存储增资外，公司此前还宣布拟投入超募资金用于DRAM技术研发，并投向合肥后道测试基地二期项目扩产。

免责声明： 本文所涉注册资本变更、上市信息、产能布局及资金投向等内容，均来源于公开工商信息、上市公司公告及公开媒体报道，仅供参考，不构成任何投资建议。文中“运营主体”“补位”等表述为基于公开信息的报道归纳，具体以公司官方公告及工商登记信息为准。

编辑：是说芯语-小明吧

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