英伟达CEO喊话：2029年存储过剩可能性不大！对长鑫合作“持开放态度” ！

过去一周，全球内存芯片股遭遇剧烈波动，市场弥漫着对供应过剩与需求疲软的担忧，但英伟达执行长黄仁勋10月22日在德国GTC大会期间公开反驳这一论调。

黄仁勋在柏林受访时展现极度乐观的态度。他明确表示：「到2029年出现内存供应过剩的可能性不大。」他指出，内存技术的独特之处在于「你永远可以用得更多」。

黄仁勋强调，HBM在未来数年仍将是核心零组件，并提到英伟达是首家将手机用的LPDDR内存引入数据中心的公司，这种创新使其能效达到业界标准的两倍，未来将继续大量采用此类内存。

采访中倍受关注的部分是他对长鑫存储的态度。被问及是否会与长鑫合作、采用其内存产品时，黄仁勋回应称“我们持开放态度”，并表示“世界上几乎所有企业都在供应链的某个环节与中国公司合作”。

他同时强调，中国在基础设施底层技术方面实力惊人，“没有任何国家在制造能力上能与中国匹敌”，因此“必须认真对待他们的能力”。

从机构推出的数据看，至少在2027年之前，供给紧张仍是主流研究机构的共识。TrendForce估计，2026年DRAM供需充足率约为-1%至-2%，即供给本身已低于需求，且这一缺口预计在2027年进一步扩大。HBM对晶圆的消耗约为普通DDR5的4至5倍，厂商将产能优先转向HBM和服务器内存，直接挤压了其他产品的供给——2026年HBM与RDIMM合计已占DRAM位元供应量的51%。

价格方面，TrendForce在9月底将2027年HBM综合均价预期上调至同比上涨121%；服务器DRAM合约价在2025年下半年上涨约64%之后，2026年预计再涨约270%。美光亦表示，其2027年大部分HBM供应量已签署长期协议，价格显著高于现货。

需求侧的信号同样强劲。TrendForce数据显示，全球主要云服务商2026年资本支出预计同比增长98%，2027年再增长50%，DRAM与NAND在其资本支出中的合计占比将从2026年的47%攀升至2027年的68%。供给端的新建产能则受制于建厂和设备安装周期，有意义的产出放量要等到2027年下半年之后，实质性贡献预计要到2028年才会显现。

从基本面来看，需求依然强劲。美国Western Digital公布的财报显示，第一财季净营收达43.8亿美元，大幅年增55%，调整后EPS达4.64美元，均大幅优于市场预期，显示在AI浪潮推动下，内存市场的多空论述仍将持续。