戴尔示警:明年内存缺货加剧!
发布时间:2026-10-25来源:半导体前线
据外媒报道,PC暨AI大厂戴尔创办人兼执行长戴尔(Michael Dell)近日示警,明年DRAM和高带宽内存(HBM)短缺状况会再次紧张,某些内存规格或缺货长达四年。
有声音认为,戴尔产品线涵盖PC与AI服务器,是DRAM「使用大户」,戴尔示警内存或更缺,意味内存业者仍将享有缺货涨价红利。
戴尔预期某些内存组件的供应短缺状况可能会持续长达四年。制造商计划用于扩大产能的新半导体工厂要到2029年或2030年才能全面投产。因此,戴尔认为市场状况短期内不太可能缓解。
戴尔表示,这项预警主要源于生产产能受限,难以满足AI系统的爆发性需求。在AI架构中,加速器需要大量HBM,而周围的服务器系统亦需搭配传统DRAM;无论哪一种内存短缺,都会导致整座系统无法顺利组装与出货。
对戴尔而言,这种情况正日益演变成一个财务问题。根据报导,该公司人工智能服务器的订单积压量高达约950亿美元,创历史新高,但却无法及时交付这些订单。内存芯片的短缺也因此拖慢了已达成协议的交易的执行进度。
为了控制财务风险,戴尔采取库存策略。 DRAM组件仅在相关系统将进行最终组装时才会购买。这减少了公司需要占用在大量库存上的资金。同时,长期供应合约旨在确保未来能够获得稀缺的内存组件。
目前内存整体价格仍是持续向上,若以产品应用区分,AI服务器在强大需求下,是推升整体内存价格向上主力,但用于PC产品端的内存,受到市况需求不佳影响,品牌商采购力道缩减。
集邦科技预估,第4季一般型DRAM合约价季增10%至15%,NAND Flash季增15%至20%,产品涨幅分歧。
转载说明:本文系转载内容,版权归原作者及原出处所有。转载目的在于传递更多行业信息,文章观点仅代表原作者本人,与本平台立场无关。若涉及作品版权问题,请原作者或相关权利人及时与本平台联系,我们将在第一时间核实后移除相关内容。
