都以为 HBM4 是混合键合元年。错了。2026 年 10 月，混合键合还没进任何一条 HBM4 量产线，三星与 SK 海力士都在用热压键合过渡。这一代内存的胜负手，不在谁先搞定铜-铜直接键合，而在谁先把热压键合的良率与产能做到极致。这个判断，值得拆开讲。


先把 HBM 说人话：盖楼，不是平铺


HBM 是高带宽内存（High Bandwidth Memory）的缩写。普通 DRAM 是平铺在电路板上的一颗颗芯片，HBM 是把好几颗 DRAM 芯片像盖楼一样垂直堆叠起来，再用硅通孔（TSV，穿过硅片的导电孔）把它们串成一根"数据立交桥"。堆得越高，带宽越大，但键合工艺也越难。


HBM4 是这个家族的第六代。它真正难的地方，不在 DRAM 本身，而在怎么把 12 层、16 层薄薄的芯片稳定地"焊"在一起。这就是键合——这一代内存的真正主战场。


三星追速度，SK 海力士追容量，两条不同的赌注


两家韩国巨头的 HBM4 走了相反的路。三星用第六代 1c DRAM 工艺，堆叠层数相对克制，押的是"更快"；SK 海力士用第五代 1b DRAM（12nm 级节点），一口气堆到 16 层，押的是"更高容量"。据 TechTimes 10 月 14 日报道，这不是外观差异，而是对 AI 基础设施走向的两种判断：算力集群要的是单颗粒带宽，还是单颗容量。


供应链数据更能说明问题。TrendForce 统计，2026 年一季度全球 HBM 市场，SK 海力士一家占 58%，三星与美光各约 21%。到了英伟达下一代 Rubin 平台的订单，SK 海力士分走约 60% 到 70%，三星约 25% 到 30%，美光吃剩余。SK 海力士凭 16 层堆叠的容量优势，暂时领先一个身位。落到产品上，SK 海力士 2026 年三季度已开始大规模出货 48GB 容量的 16 层 HBM4，单颗容量比三星同代主打的 36GB 高出一截。容量之争的上半场，SK 海力士赢了。


混合键合又跳票了，SK 海力士的样品还没启动生产


混合键合（Hybrid Bonding）是什么？简单说，它取消了传统焊料凸点，让晶圆上的铜焊盘和二氧化硅介质层直接贴合，靠铜原子的扩散完成互连。好处是间距能做到 5 微米以下，比微凸点方案密一个数量级，连接密度高得多，被寄望成为 HBM5 的必需技术。


但现实泼了冷水。10 月 8 日，多家媒体援引 SK 海力士未来技术研究院工程师的消息：SK 海力士在 HBM 混合键合上遇到困难，相关样品尚未启动生产。反观三星，已向客户交付了采用混合键合的 HBM 样品。如果坐实，三星在下一代先进封装的验证上反而抢了先手。


关键结论是：2026 年 10 月这个节点，混合键合仍未进入 HBM4 量产线。两家现在的主力都是热压键合——TCB（Thermal Compression Bonding，热压键合）搭配 TC-NCF（热压非导电膜）。所谓 TC-NCF，就是在芯片之间夹一层不导电的胶膜，加热加压让胶膜固化、把上下芯片黏死。这条路线成熟、稳定，是先把良率和产能铺开的现实选择。


谁的热压键合良率高，谁就吃下这一代


既然 HBM4 这一代还是热压键合的天下，竞争就回到最朴素的地方：良率与产能。16 层堆叠意味着要键合十几次，任何一层出现空洞、翘曲或对准偏差，整颗颗粒报废。这才是 SK 海力士"追容量"背后真正的工艺压力——层数越高，热压键合的容错空间越小。


热压键合的难点有三个：温度要均匀（整面温度梯度大了，胶膜固化不一致）、压力要一致（压力不均，铜柱接触不良）、对准要精确（层与层之间错位一微米，信号就出问题）。这三项指标，就是这一代内存扩产的硬瓶颈。


把时间轴拉长，混合键合迟早会来，但它会先出现在层数更少、间距更小的逻辑芯片 3D 堆叠里，而不是拿 16 层的 HBM 开刀。所以短期别被"混合键合元年"的口号带偏，真正赚钱的、真正卡脖子的是热压键合这条成熟路线。


混合键合难在哪：四个坎，一个都没跨完


混合键合之所以反复跳票，是因为它有四个坎，一个都没彻底跨过去。


第一是铜氧化。铜一接触空气就长氧化层，氧化层会阻断铜原子的扩散。键合前必须把铜表面处理到原子级洁净，还要在真空或惰性气氛里完成贴合，任何一点氧化都会让键合失败。


第二是平坦化。铜和周围的二氧化硅介质要做到纳米级共面，铜既不能凸出也不能凹陷，这靠化学机械抛光（CMP）的精度。整片 300mm 晶圆要做到一致共面，良率很难拉。


第三是对准。间距做到 5 微米以下，意味着两片晶圆要对准到亚微米级别，错位一点就整片报废。这是热压键合（间距几十微米量级）完全不用操心的精度。


第四是洁净度。任何一颗微尘落在键合面上，都会造成空洞。混合键合的产线洁净度和在线检测要求，比传统键合高出一个档次。


这四个坎叠在一起，决定了混合键合只能先在层数少的逻辑芯片 3D 堆叠里慢慢爬，而不是上来就啃 16 层的 HBM。换句话说，混合键合不是被谁"卡"住，是被物理和良率卡住。它需要的不是一次突破，而是一整套材料、设备、工艺的成熟，这个过程快不了。


热压键合的量，被 16 层堆叠放大了十几倍


市场规模从侧面佐证这一代热压键合的价值。据 Yole 统计，2026 年 HBM 市场规模预计突破 200 亿美元，其中 HBM4 占比快速攀升。每一颗 HBM4 背后，都是一次次热压键合在扛——层数从 8 层、12 层爬到 16 层，单颗颗粒的键合次数翻倍，键合设备的产能需求被同步放大。


这才是被市场低估的点：当所有人盯着混合键合的远期想象时，热压键合设备的当期订单已经在涨。对设备厂商而言，HBM4 这一波扩产，热压键合才是实打实的现金流。


对做封装与设备的工程师，判断就三行：



  • HBM4 这一代，热压键合仍是主力，别急着 all in 混合键合。

  • 盯住 16 层堆叠的键合良率，那才是 SK 海力士与三星的胜负点。

  • 热压键合的温场、压力、对准三项指标，是设备选型的硬门槛。


TORCH中科同志——TCB热压键合设备供应商，是国家级专精特新重点小巨人企业。热压键合这条路，中科同志走了很多年，懂这一代内存真正卡在哪。