三星电子得州第二座晶圆厂将为AMD、英伟达生产芯片
发布时间:2026-11-05来源:SEMI
据韩国《每日经济新闻》近日引述产业消息报道,三星电子将利用其位于美国得克萨斯州泰勒市的第二座晶圆代工厂,为AMD和英伟达生产高带宽内存(HBM)芯片的基础裸片。
该工厂预计将于本月正式动工,且全部产能已获得订单,其中大部分订单来自AMD。
报道指出,该工厂将采用先进的2纳米制程技术,厂区面积约270万平方英尺,规模约为三星首座工厂的1.5倍。三星首座工厂已与特斯拉签订合同。
据悉,第二座工厂预计将于2029年2月开始安装设备,并于2030年启动量产。
三星电子对此婉拒置评。
SEMI China官方信息发布平台

1.SEMI China官方微信公众号
2.SEMI产业投资平台微信公众号
4. SEMI China官网丨china.semi.org.cn
5. SEMI大半导体产业网丨www.semi.org.cn
6. SEMICON China官网丨www.semiconchina.org
7. FPD China官网丨www.fpdchina.org
8. 汽车电子应用网 | ecar.semi.org.cn
9. SEMI官方杂志《半导体制造》
杂志订阅: www.semi.org.cn/site/share/semi/sub1.html
转载说明:本文系转载内容,版权归原作者及原出处所有。转载目的在于传递更多行业信息,文章观点仅代表原作者本人,与本平台立场无关。若涉及作品版权问题,请原作者或相关权利人及时与本平台联系,我们将在第一时间核实后移除相关内容。

