总投资102亿！武汉又一大项目，开工！

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总投资 102 亿元！光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目开工，满产后年新增 1200 万只高速光模块

据今日半导体媒体消息， 11 月 1 日，光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目（一期）开工仪式在光迅科技高端光电子产业基地举行。该项目由武汉光迅科技股份有限公司组织实施，建设地点位于武汉东湖综合保税区高端光电器件产业基地，总投资 102 亿元，是这家光通信龙头在 AI 算力浪潮下的又一次大手笔扩产。

从建设规模看，项目总用地面积约 3.5 万平方米，规划总建筑面积 16.63 万平方米，将建设两栋高等级洁净厂房、一栋智能化仓储物流中心、一栋高能效厂务动力站房、一栋员工中心及其他附属设施，员工宿舍等生活配套同步建设。项目将持续导入世界级先进工艺和自动化装备，全面提升高端光电子及硅光芯片器件的研发与规模制造能力。建成后，该产业基地总建筑面积将达到近 37 万平方米。

产品布局上，项目瞄准新一代全光通信前沿。规划覆盖 800G 至 12.8T 高速光模块 / 光引擎、320×320 端口光线路交换（OCS）、32 维波长选择开关（WSS）等产品，满产年产能达千万只级别。据披露，项目达产后每年可新增高速光模块产能 1200 万只，预计年产值 200 亿元。

项目建设节奏紧凑。公开信息显示，项目工期 14 个月，计划 2027 年底完成竣工验收，并同步推进设备安装调试和产能释放。围绕下一代可插拔光模块、CPO/NPO 光引擎、全光交换等前沿方向，项目将开展攻关，打通 "开发 — 验证 — 量产" 全链条。

作为背景，光迅科技是中国信科集团旗下 A 股上市公司（002281），深耕光电子器件五十年。光迅科技董事长黄宣泽在致辞中表示，公司因光而生、伴光成长，五十年来研制出国内第一支长波长半导体激光器、国内第一台掺铒光纤放大器，发布全球首款 6.4T NPO 光模块；研发及生产场地从最初的 2000 平方米扩展到 30 多万平方米，营业收入从几十万元站上百亿元台阶。目前，其 400G、800G 光模块产品已实现规模化量产。

业内分析认为，在 AI 算力需求带动下，800G、1.6T 乃至更高速率光模块加速放量，CPO / 硅光等新一代技术加速落地，高速光模块赛道景气高企。光迅科技此番 102 亿元扩产，意在抢占高端光电子与硅光芯片器件产能先机，进一步巩固其在全球光通信产业链中的地位。出席开工活动的还有武汉市委常委、东湖高新区党工委书记沈悦，中国信科集团党委书记、董事长何书平等。后续项目投产节奏与产能释放进展，值得行业持续跟踪。