长鑫回应美光对4F²技术路线质疑

发布时间：2026-11-02来源：芯极速

当地时间10月21日，美光总裁兼首席技术与产品官斯科特·德博尔（Scott DeBoer）表态，美光将延续6F²技术路线，并直接向3D DRAM方向推进研发。

DeBoer称，美光针对4F²架构的研究已超20年，也完成过原型对比验证；但该路线在工艺复杂度、制造成本以及后续微缩空间上存在明显瓶颈，因此决定不再推进，甚至直言4F²的部分讨论仅是“烟雾弹”。

4F²指单存储单元面积为最小特征尺寸（F）平方的4倍。对比当前DRAM主流6F²架构，理论上同等面积下可集成更多单元，存储密度更高。美光则认为，决定DRAM位元密度理论上限的关键是电容的间距与尺寸，而非晶体管布局。也就是说，即便通过架构优化把单元面积系数从6降到4，若电容本身的微缩空间受限，整体密度提升仍将遭遇物理天花板。

针对美光对4F²路线的质疑，长鑫科技于10月31日公布投资者关系活动纪。长鑫表示，从底层物理规律来看，DRAM密度提升是复杂的系统工程，字线、位线与电容结构之间存在多重空间制衡；这也是行业进入先进制程微缩阶段普遍面临的物理难题。在特定节点下，不同架构在工艺集成难度、光刻次数、热预算等维度具备差异化成本收益曲线。各家存储厂商基于自身技术积累、现有产线、专利布局与资本规划做出不同路线选择，都应得到理解与尊重。

据长鑫披露信息，其4F²架构采用垂直环绕栅极（Vertical Surrounded Gate, VSG）晶体管方案。公司自创立起持续布局4F²研发，目前已拥有300余项公开专利家族。该架构通过改变晶胞布局将面积系数由6降至4，能够依托深紫外（DUV）光刻实现密度提升——这一特性的关键价值在于，无需依赖极紫外（EUV）设备即可推进密度迭代。

长鑫同时透露，4F²架构第六代DRAM制程平台已完成工程样品验证；计划在2026年底向客户送样融合4F²与混合键合（Hybrid Bonding）技术的DDR5 RDIMM，后续量产节奏将根据客户验证进度与市场需求逐步落地。工程样品是产品正式上市前，用于客户测试验证的试制品。

不过市场对其量产落地难度仍存疑问。4F²单元理论面积较6F²缩小约33%，但如果采用的制程线宽更大，实际集成密度未必占优。韩媒TopStarNews此前援引Rosenblatt Securities分析师Kevin Cassidy的测算假设：若长鑫存储采用约17nm制程，而竞争对手采用约12nm制程，长鑫4F²单元面积可能比对6F²单元高出约34%。

美光选择放弃4F²，在6F²基础上持续微缩，并将晶圆键合、3D DRAM作为长期主线；与此同时，三星电子、SK海力士仍在积极开展4F² DRAM研发。全球主流存储厂商在下一代DRAM技术路线上的分化格局愈发清晰。

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