英飞凌推出全球首款300毫米功率碳化硅

英飞凌科技股份公司刚刚宣布，公司已在其位于奥地利菲拉赫的晶圆厂成功将300毫米碳化硅晶圆加工成功能功率器件。英飞凌是首家在全规模半导体晶圆厂环境中实现这一创新里程碑的公司。该技术利用现有的硅（Si）制造设备得以实现。功能功率器件的早期成功体现了英飞凌致力于为客户提供全面的高性能碳化硅功率半导体产品组合并确保长期供应的决心。300毫米晶圆的芯片生产技术比200毫米晶圆更为先进，效率也显著更高，因为更大的晶圆直径意味着每片晶圆可生产2.3倍的芯片数量。

“这一技术里程碑进一步巩固了我们在电力系统领域的领先地位。祝贺并感谢我们充满热情的团队，他们为将300毫米碳化硅晶圆从实验室推向生产环境做出了重大贡献，”英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示。“在功率半导体领域保持领先地位意味着不断推动技术进步。凭借硅、氮化镓以及现在的300毫米碳化硅晶圆，我们在扩大半导体制造规模和推动盈利增长方面处于领先地位。”

这一里程碑展现了未来在300毫米晶圆上实现碳化硅（SiC）全面产业化的巨大潜力。英飞凌将与客户和合作伙伴紧密合作，规划300毫米SiC技术及产能爬坡时间，同时继续推进其200毫米SiC制造路线图。先进的SiC功率技术为英飞凌的客户提供经济高效且安全的供应链，适用于汽车、可再生能源、工业和人工智能数据中心等应用领域。

碳化硅 (SiC) 是一种用于高效功率转换的关键半导体材料。其材料特性使其能够在高压高温下实现更低的功率损耗、更高的功率密度和高效运行，例如在牵引逆变器、车载充电器、电动汽车充电器、大型储能设备和工业驱动器以及不间断电源 (UPS) 等领域。随着人工智能数据中心对碳化硅的需求不断增长，它在固态变压器、断路器和电源单元等领域也扮演着新的角色。英飞凌凭借其丰富的 CoolSiC™ 产品组合，满足了这些应用的需求。

与此同时，英飞凌在其位于德国德累斯顿的工厂成功验证了其冷分片技术在300毫米碳化硅晶圆上的可行性。与传统的线切割相比，冷分片技术能够以更少的材料损耗和更短的加工时间从碳化硅晶锭中分离出晶圆，从而在降低资本支出的同时，从同一晶体中获得更多晶圆。这两项进展使英飞凌能够更好地根据市场需求扩展碳化硅技术，并满足客户不断变化的需求。

英飞凌生产基于硅、碳化硅和氮化镓这三种重要材料的半导体。2026年10月27日，该公司宣布在菲拉赫投资约11亿欧元，建设一座用于生产300毫米晶圆氮化镓功率半导体的大批量生产工厂。此次碳化硅的成功应用，将英飞凌的制程拓展至第二种宽带隙材料，并巩固了其在半导体制造领域创新领导者的地位。

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