祝贺芯德半导体成功在港上市

发布时间：2026-11-10来源：艾邦半导体网

11月10日，江苏芯德半导体科技股份有限公司（以下简称“芯德半导体”）在香港联合交易所主板正式挂牌上市。

据悉，成立于2020年9月的芯德半导体，是国内领先的半导体先进封测技术解决方案提供商。招股书显示，公司在香港上市后的股东架构中，张国栋先生、潘明东先生、刘怡先生，为一致行动人，他们合计持有和控制约22.45%的股份，为公司的单一最大股东；其他股东包括江苏省国资、晨壹基金、心联芯、南京元钧、深创投、小米、上海金浦、联发科、元禾控股、先进制造等。

芯德半导体业务覆盖封装设计开发、定制封装产品供应及封装测试全链条服务，是国内少数集齐QFN、BGA、LGA、WLP及2.5D/3D全品类先进封装技术能力的厂商之一。

依托自主搭建的晶粒及先进封装技术平台（CAPiC），芯德半导体持续推进前沿技术研发，在同质异质芯粒集成、光感光电封装、TGV玻璃基板等领域形成核心技术储备，产品广泛服务于SoC、显示驱动、射频前端、蓝牙及电源管理芯片等领域，精准对接人工智能、边缘计算、汽车电子及新兴消费电子等高增长下游需求，积累了多元优质的客户体系。

其中，玻璃通孔(TGV)技术使用玻璃作为中介层层或封装基板,通过激光或化学工艺形成通孔，然后进行金属化。TGV是射频、毫米波、封装天线和高速数字应用的理想解决方案。TGV迭层封装(TGV-PoP)进一步实现了高频芯片模组的垂直3D集成。芯德半导体的TGV主要涉及先进技术，包括TGV通孔尺寸62.5μm、最小通孔间距165μm、通孔间路巨65μm以及7:1的纵横比。RDL的最小线宽/间距为2/2μm。该设计在47591μm × 29770μm的扇出单元尺寸内集成5颗裸晶，即4颗HBM和1个SoC。公司于TGV的研发集中在三个主要方向：(a)基于玻璃基板的高性能集成无源元件(IPD)；(b)利用玻璃中介层的高级射频模块和相控阵技术；及(c)用于高计算功率GPU的玻璃封装解决方案。以下为芯德半导体的TGV结构图：

目前，芯德半导体的TGV技术已完成内部技术验证，现正与东南大学集成电路学院合作进行批次级内部工艺验证。未来潜在客户为国内射频类客户。

未来，芯德半导体的研发战略复盖五个关键维度，包括：(a)高性能2.5D/3D封装解决方案。(b)高精度光学传感解决方案。(c)车规级封装技术。(d)创新型玻璃基板技术。公司攻克传统有机基板瓶颈，正开发用于高端封装的高密度、低损耗玻璃基载体。这类载体旨在支持人工智能算力芯片及高端射频模组。(e)现有技术的迭代研发。

芯德半导体计划将此次IPO募集资金的约69.5%将用于兴建生产基地及建立新生产线以及采购生产相关设备，以提升制造能力及满足不断增长的市场需求；约17.6%将用于提升封装技术的研发能力及提高其于半导体封测行业的技术竞争力，特别是专注于推进CAPiC平台的封装与测试技术；约2.9%将用作提升芯德半导体的商业化能力及扩展客户协作生态系统；约10%预期将用作营运资金及其他一般公司用途。

来源：南京发布、芯德半导体招股书等，侵删

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