三星电子计划于2027年初完成下一代封装技术3D Cube-H的开发
发布时间:2026-11-11来源:SEMI
近日,据韩国ZDNet报道,三星电子计划于2027年初完成下一代先进封装技术3D Cube-H的开发,并同期推出首套设计工具包,随后启动潜在客户评估。
该技术采用混合键合(HybridBonding),通过铜与铜直接连接实现芯片垂直堆叠,互连间距目标约为6微米,较三星现有热压键合(TC Bonding)约25微米的最小间距明显缩小。
相比传统技术,混合键合能够提高芯片连接密度、改善散热并降低数据传输能耗,适用于高性能AI芯片、GPU堆叠及逻辑芯片与HBM集成。
此前,三星电子已经开发出采用热压键合技术的3D Cube-T,现正推出采用混合键合技术的3D Cube-H,以进一步提高芯片间的连接密度和性能。
三星希望借此增强先进封装竞争力,为争取大型科技企业AI芯片代工订单创造条件。
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