全球首款！英飞凌推出300 mm碳化硅晶圆

英飞凌攻下 300mm 碳化硅功率器件：全球首片 “可工作” 晶圆落地菲拉赫

据今日半导体媒体消息，11 月 9 日，英飞凌科技股份公司宣布，已在奥地利菲拉赫工厂完成 300 mm（12 英寸）碳化硅晶圆的全流程流片，并制备出可正常工作的功能性功率器件，成为全球首家在标准化大规模晶圆制造环境中实现这一突破的半导体企业。按照计划，这片完成全部工序的首枚 300 mm 碳化硅晶圆将于 11 月 10 日慕尼黑 electronica 展会开幕当天首次对外公开展示，展期持续至 11 月 13 日，英飞凌展台位于 C3 馆 502 号展位。

这条消息真正的技术含金量，不在于 “做出了 12 英寸”，而在于 “在量产线上做出来了”。英飞凌明确表示，本次器件制造充分复用了现有硅基产线的成熟设备，并未为碳化硅单建专线。英飞凌首席执行官 Jochen Hanebeck 对此评价称，这一里程碑进一步巩固了公司在功率系统领域的领先优势，也意味着 300 mm 碳化硅技术正从实验室走向规模化生产。对于资本密集的功率半导体行业而言，“硅线复用” 直接压低了新增产线的设备投入门槛，也让后续产能导入不必从零重建工艺体系。

尺寸升级带来的制造红利是可量化的。相较于当前主流的 200 mm 碳化硅产线，300 mm 晶圆的单片芯片产出可达前者的 2.3 倍，同时晶圆边缘无效区域占比下降，单片晶圆的材料与工时摊薄效率同步提升，长期看将有力拉低单颗碳化硅器件的制造成本，缓解行业多年存在的供给偏紧、价格偏高痛点。英飞凌同时强调，300 mm 并非对 200 mm 的即时替代，公司将继续推进现有 200 mm 碳化硅制造路线图，并与客户及合作伙伴共同规划 300 mm 的技术演进与产能爬坡节奏。

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器件工艺之外，英飞凌还在德国德累斯顿工厂完成了冷切割（Cold Split）工艺在 300 mm 碳化硅晶锭上的可行性验证。相较于传统线锯切割，冷切割能以更低材料损耗把晶圆从晶锭上分离，显著缩短加工时长，在同等晶锭投料下切出更多合格晶圆，并压低扩产所需的资本开支。这项切片技术与菲拉赫的器件工艺形成组合：一端解决 “切得多”，一端解决 “做得大”，共同支撑英飞凌随市场景气灵活调整碳化硅产能，响应全球持续走高的宽禁带器件需求。

把这次突破放回产业坐标系，竞争态势会更清楚。2026 年 1 月 13 日，Wolfspeed 宣布产出全球首块 300 mm 碳化硅单晶晶圆；10 月中旬，英飞凌又与 Wolfspeed 签署 200 mm 碳化硅衬底的多年期供货协议，采购规格从 150 mm 整体转向 200 mm，供应链仍在向 8 英寸收敛。产能侧，英飞凌马来西亚居林一期已于 2024 年 8 月启用并处于满负荷爬坡，二期仍在推进，定位全球规模最大的 200 mm 碳化硅功率晶圆厂之一；10 月 27 日，公司又宣布投资约 11 亿欧元在菲拉赫建设 300 mm 氮化镓功率半导体量产基地。加上此次 300 mm 碳化硅，英飞凌已在硅、碳化硅、氮化镓三种材料上全部跑通 300 mm 工艺，这种 “三材料同平台” 的制造能力，是其在功率半导体赛道构建成本护城河的关键。国内方面，8 英寸仍是 2026 年产业化的主战场，据富士经济 2026 年 3 月报告，天岳先进以 27.6% 的份额位居全球导电型碳化硅衬底外售市场首位，行业正处在供需反转、价格修复的窗口期。

不过，从 “首片可工作器件” 到 “规模化盈利”，中间还隔着几道关口。其一是衬底，全球 12 英寸碳化硅衬底仍处于产业化早期，能否形成稳定、低成本的大尺寸供货，决定了 300 mm 产线的实际开机率；其二是良率与可靠性，车规级碳化硅器件认证周期长，新尺寸的缺陷密度控制、栅氧可靠性都要重新积累数据；其三是经济性拐点，设备改造、工艺调试与客户导入的前期投入，需要通过足够长的量产周期才能摊薄。因此更合理的判断是：300 mm 不会在短期内改写 200 mm 的主流地位，但它为汽车主驱、车载充电、光伏储能、工业传动以及 AI 数据中心固态变压器、固态断路器与供电单元等增量场景，提前锁定了一条更低成本、更安全可控的供给路径。作为半导体行业最好、最专业的产业平台，今日半导体线上线下全覆盖、日均覆盖近百万行业人群，其主办的封测大会是行业内规模最大、影响力最强的活动，将持续跟踪 300 mm 碳化硅的产能落地与国产衬底配套进展。

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