磷化铟衬底，被抢到2027年底！

AI数据中心建设持续升温，光通信产业链的供需紧张，正在从光模块、激光器芯片向更上游的半导体材料延伸。

最新的一个信号来自云南锗业。

11月10日晚间，云南锗业披露投资者关系活动记录表称，目前磷化铟晶片市场需求旺盛，公司现有及在建产能已经被锁定至2027年底，客户涵盖国内外知名下游厂商。

这意味着，在AI数据中心带动高速光通信需求增长的背景下，磷化铟衬底这一细分材料，也开始呈现出供不应求的态势。

云南锗业的磷化铟晶片业务，主要由其控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司负责。

根据公司披露，目前云南鑫耀6英寸磷化铟晶片在手订单约1.3万片，合计金额约3亿元，部分订单已经取得出口许可，并处于持续交付状态。

从客户结构来看，云南鑫耀的客户主要是海外头部下游厂商。

今年6月以来，公司已经与客户签订多份6英寸磷化铟晶片正式销售合同。其中，最受关注的是11月3日披露的一份长期供货协议。

云南鑫耀与美国光通信企业Applied Optoelectronics（AOI）签订协议，约定2027年至2031年，AOI预计向云南鑫耀合计采购90万片4英寸N型磷化铟衬底，平均每年采购18万片。

其中，仅2027年拟供应的磷化铟衬底产品金额就约为1.94亿美元，折合人民币约13.05亿元，相当于云南锗业2025年营业收入的122.46%。

需要注意的是，这份协议约定的是未来采购预期，并不意味着90万片已经全部转化为确定订单。不过，海外光通信厂商通过长期协议锁定上游衬底供应，也反映出下游企业对未来磷化铟材料供应的重视程度正在提高。

磷化铟（InP）是重要的III-V族化合物半导体材料，在光通信、激光器以及高频射频器件等领域具有重要应用。

尤其是在高速光通信领域，磷化铟具有直接带隙等材料特性，能够实现高效的光电转换，因此被广泛用于激光器、探测器以及高速调制器等光电子器件。

随着AI数据中心对网络带宽的要求不断提高，800G光模块加速部署，1.6T光模块逐步推进，光通信器件也在向更高传输速率演进。这对上游激光器芯片的性能和制造能力提出了更高要求。

其中，EML（电吸收调制激光器）就是一个典型代表。它将激光器与电吸收调制器集成在同一芯片上，是目前高速光通信的重要技术方案，而磷化铟正是其核心材料基础之一。

这也解释了为什么AI数据中心的扩张，会进一步带动磷化铟衬底需求增长。

从产业链来看，下游光模块厂商扩大生产，需要更多高速光芯片；光芯片厂商扩大产能，则需要稳定的磷化铟衬底供应。需求沿着产业链逐级传导，上游材料厂商因此获得了新的增长机会。

面对订单增长，云南锗业也在加快磷化铟衬底产能建设。

公司从2026年4月开始实施高品质磷化铟单晶片建设项目，计划在现有产能基础上扩建一条年产30万片的生产线，按照4英寸折算，其中包括6000片6英寸产品。

项目完成后，公司高品质磷化铟单晶片年产能将达到45万片（折合4英寸）。

目前，项目首批设备已经完成入场、安装及调试，产能正随着建设进度逐步释放。

除了生产设备，原材料供应也是公司需要解决的问题。云南锗业在调研中表示，已经与供应商签订原材料采购合同，锁定2027年度磷化铟产品原材料供应，为后续产能释放和订单交付提供保障。

从这一系列动作来看，云南锗业正在同时推进订单获取、产能建设和原材料保障。

对于磷化铟衬底这样的细分材料而言，产能扩张并不意味着可以立即形成有效供应。晶体生长、晶片加工以及产品品质控制，都需要相应的技术和制造积累。尤其是6英寸产品，如何持续提高良率和稳定交付能力，将直接影响企业后续的市场竞争力。

AI数据中心带来的光通信需求，正在改变上游材料市场的供需格局。过去相对专业、市场关注度不高的磷化铟衬底，如今已经成为光通信产业链中值得重点关注的一环。

云南锗业的订单和扩产进展，或许只是这一轮产业变化的一个缩影。接下来，随着800G、1.6T光模块继续推进，上游磷化铟材料的供应能力，值得持续关注。

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