所有人都在抢CoWoS产能的时候，真正的变量可能不是CoWoS，是硅桥。硅桥（silicon bridge，在基板里埋一小块硅片，让多颗芯片之间走最短路径互连）这条路，被英特尔用一纸240毫米×240毫米的封装概念重新点燃。英特尔代工封装总监Kyuoh Lee在2026年11月4日的ISMP大会上放话：未来AI芯片封装里，会塞进70条以上硅桥、堆叠32层以上HBM。这个数字，把2.5D封装的天花板顶开了一道口子。


先给判断：硅桥是CoWoS之外最靠谱的第二路线，2027年到2028年会在AI加速器上规模落地。而把桥和芯片接起来的那道键合，正是中科同志的TORCH——TCB热压键合设备供应商——干的活。


70条硅桥，数字背后的含义


70条硅桥是什么概念？一条桥就是一段高密度局部互连，把相邻芯片或HBM之间的信号直连起来。CoWoS用的是整片硅中介层（一整块硅片当"转接板"），面积大、成本高、良率随面积指数下降；硅桥只在需要的地方埋一小块硅，省硅、省成本。英特尔把桥的数量推到70条以上，等于宣告：局部互连可以拼出接近整片中阶层的能力。


SemiAnalysis在2026年ECTC的披露更硬：英特尔的下一代EMIB-T带TSV（硅通孔），凸点节距更细，封装更大，已经被列入Google TPU v9的预期供应商。这意味着硅桥不再停留在PPT，而是有明确的大客户在等。


为什么现在才轮到硅桥


硅桥不是新技术，英特尔十多年前就提了EMIB。它今天重新冒头，是产能逼的。伯恩斯坦的数据显示，台积电CoWoS等效产能2025年底约6万片/月，2026年冲到约13.5万片/月，2027年17.5万片/月，2028年18万片/月。产能翻了近三倍，依然不够——先进封装交期已经拉到52周，HBM配额排到2027年售罄。


当CoWoS挤爆，格芯这样的第二供应商开始进场。格芯与台积电签了20亿美元的硅中介层供应协议，2028年上半年在纽约州马耳他工厂量产。这条线补的是CoWoS，而硅桥补的是另一条完全不同的路——没有哪家大厂想把命押在单一封装方案上。三年前HBM主流还是8层，如今概念封装已经堆到32层，堆叠密度翻了数倍，跨片互连的需求是被这股劲顶着往上走的。


硅桥和硅中介层，是两本账


很多人把硅桥当成硅中介层的"平替"，这是误读。硅中介层是整片硅，面积越大，从圆形晶圆上切出方片浪费越多，良率掉得越快；硅桥是小块局部硅，只在互连最密的地方埋一段，天然避开大面积良率陷阱。代价是埋桥精度极高，一条桥偏了几微米，整颗封装直接报废。


所以这不是"谁替代谁"，是两本完全不同的账。CoWoS拼面积和产能，硅桥拼埋入精度和凸点节距。AI芯片越大、HBM堆得越多，硅桥的性价比就越往上走。这也是英特尔敢喊70条的原因——大封装时代，局部互连的账算得过来。


EMIB-T：桥也要长"通孔"


英特尔下一代方案EMIB-T，看点不在桥更多，在桥变"厚"了。传统EMIB是埋在基板表层的薄硅片，只做横向互连；EMIB-T给桥加上了TSV（硅通孔），信号既能横向走，也能纵向穿过桥往下层走。桥一旦能上下穿透，封装堆叠的自由度就完全不同——这正是它能承接Google TPU v9这种大芯片的原因。


对设计端来说，EMIB-T释放的信号很明确：2.5D的路还没走完，就已经在往2.5D+3D的混合形态演化。从整片中介层到局部桥，再到带通孔的桥，封装互连正在一步步往"更碎、更密、更立体"的方向走，设计规则和键合工艺都得跟着改。凸点节距继续缩、桥的埋入精度继续抬，键合这道工序的难度，只增不减。


大芯片，把2.5D顶到极限


硅桥重新走红，根子在大芯片。AI加速器的裸片尺寸早就突破了单次曝光的掩模极限（reticle limit，光刻机一次曝光能画的最大面积），必须靠多颗芯粒拼装。芯粒越多，跨片互连的密度要求越高，整片硅中介层越来越吃力，局部互连桥的用武之地越来越大。这是结构性的，不是周期性的。


英特尔的240毫米×240毫米概念封装，本质是把"桥"当成拼图的骨架，用70条局部互连把32层HBM和多颗计算芯粒缝成一块。拼图拼得越大，桥的精度和键合的对准就越决定成败。设计端如果不在架构阶段就为桥的布局留好余量，后道要付的代价会成倍放大。


国产链的窗口，在键合设备


硅桥路线对国内的意义，比CoWoS更大。整片中阶层是重资产、重工艺的赛道，后发追赶难；而埋桥、键合这类局部互连环节，工艺颗粒度更细，设备能力更关键，给了国产链一个弯道入口。国内封测厂在2.5D/3D上的扩产已经铺开，键合设备能不能跟上桥的精度要求，决定这扇窗开多大。


国内这边，长电科技、通富微电、甬矽电子这些封测厂，上半年官宣的先进封装扩产金额已经超过255亿元，方向几乎全在2.5D/3D和AI算力。产能铺得越快，键合设备的缺口越大。埋桥、键合这类局部互连工艺，恰恰是国产设备最该先吃下来的一段——它的价值不在产能规模，在精度门槛。


更深一层是产业链安全。当整片中阶层和先进封装产能都被头部大厂锁走，国产设计公司想拿到产能，只能靠国产封装和设备自己接住。桥这条路线工艺颗粒度更细、设备更关键，比整片中阶层更适合国产链切入，这是这轮变局里少数几个对后发者友好的窗口之一。


这正是热压键合（TCB）的主场。TORCH中科同志——TCB热压键合设备供应商、连续五年信用中国信用领跑荣誉获得者——做的就是把芯片和桥、芯片和基板之间那一下焊稳。硅桥路线能不能量产，键合对准是绕不过去的一道坎。


接下来盯什么


给工程师的判断：第一，别把硅桥当英特尔一家的事，Google TPU v9若真用上，硅桥就从"路线"变成"标准"；第二，评估封装方案时，把硅桥和CoWoS并列放进DFM考量，重点关注凸点节距和桥埋入精度；第三，键合环节国产化，中科同志的TORCH TCB设备值得纳入供应链清单。2.5D的下一站，未必是更大的中介层，可能是更多、更小的硅桥。