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宽禁带半导体凭借其高击穿场强、高饱和电子漂移速率等优异特性，在消费电子、电动汽车、光伏逆变等高效功率转换领域展现出巨大的应用前景。其中，垂直型氮化物功率器件因其高击穿电压、低导通电阻和高功率密度等突出优势，被视为下一代功率系统的有力候选者。
6月25-27日，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办的“2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)”将于上海举办。山东大学集成电路学院教授、博士生导师刘超受邀将出席论坛，并带来《垂直型氮化物功率器件与单片集成双向开关》的主题报告，分享最新研究成果。
刘超教授长期致力于宽禁带半导体材料与器件的研究，是国内最早开展垂直型GaN器件研究的专家之一。他带领的研究团队，在氮化物异质外延、垂直结构设计与制备等方面取得了一系列突破性成果。山东大学集成电路学院作为国内集成电路领域的重要科研基地，拥有“专用集成电路设计”国家级重点实验室，在宽禁带半导体、功率集成电路等领域形成了鲜明特色。
报告将介绍团队在垂直型氮化镓（GaN）功率晶体管方面的研究进展，包括1200 V垂直型GaN-on-Si功率MOSFET以及2000 V垂直型GaN-on-GaN功率MOSFET的器件结果。并将展示垂直型GaN单片集成器件的相关工作，包括垂直型GaN功率MOSFET与续流肖特基二极管以及结势垒肖特基（JBS）二极管的单片集成，垂直型GaN单片集成双向开关的制备以及交流斩波测试等。分享团队在垂直型超宽禁带铝镓氮（AlGaN）功率器件方面的研究进展，涵盖垂直型P-i-N二极管、肖特基二极管、JBS二极管、存储二极管等多种器件。敬请关注！
嘉宾简介
刘超, 山东大学集成电路学院教授、博士生导师、国家重点研发计划首席青年科学家、齐鲁青年学者。2016年博士毕业于香港科技大学，获电子与计算机工程学博士学位，2016年至2019年在瑞士洛桑联邦理工学院从事博士后研究。2024年赴英国伦敦大学学院从事访问学者工作。主要研究方向是宽禁带半导体材料与器件，包括氮化物半导体的MOCVD外延生长、器件制备以及单片集成等。主持“十四五”国家重点研发计划青年科学家项目、国家自然科学基金等十余项科研项目以及华为、海信、歌尔等公司的多项横向课题。在本领域权威期刊IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Letters、Optics Letters，以及功率半导体顶级国际会议ISPSD等共发表论文100余篇，申请/授权发明专利30余件。联合华为技术有限公司研制的“1200伏垂直型硅基氮化镓晶体管”获评2025年度“山东省十大科技创新成果”、“山东好成果”、“济南好成果”等奖项，被IEEE Spectrum、Semiconductor Today、Compound Semiconductor等国际产业媒体专题报道10余次。担任电子器件领域权威期刊IEEE Transactions on Electron Devices编辑、科技部显示与电子材料专项战略咨询组青年专家，以及国家“万人计划”领军人才、教育部青年长江学者等多项人才计划与科技项目的评审专家。
一、组织机构
指导单位：
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
极智半导体产业网
第三代半导体产业
承办单位：
集成电路材料全国重点实验室
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
学术协办：
电子科技大学
南京邮电大学
大会主席：狄增峰
联合主席：张波、吴伟东、程新红、赵璐冰
程序委员会委员：陈敬、张进成、柏松、唐为华、罗小蓉、张清纯、万玉喜、龙世兵、王来利、杨媛、张宇昊、杨树、刘斯扬、欧欣、章文通、陈敦军、耿博、郭清、蔡志匡、梁瑶、刘雯、邓小川、魏进、周琦、周弘、叶怀宇、张龙、包琦龙、金锐、姚佳飞、蒋其梦、明鑫、周春华、郑理、沈玲燕、张薇葭、黄森等
组织委员会：
主任：郑理
副主任：涂长峰、周学通、徐光伟、刘盼
委员：周峰、王珩宇、杨可萌、张珺、罗鹏、刘成、刘宇、张茂林、任开琳、王谦、张栋梁、刘晓博、王鹏、陈龙、李成、康俊杰、崔潆心、李道会、贾欣龙等
二、主题&征文方向
1.S1-硅基功率器件与集成技术
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术；
2.S2-碳化硅功率器件与集成技术
碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
3.G1-氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成
氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
4.G2-氧化镓/金刚石功率器件与集成技术
氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
5.P1-模组封装与应用技术
功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性；
6.P2-面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术
核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术、制造、封装、检测及测试设备等；
7.P3-功率器件交叉领域及EDA
基于新材料（柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料）的功率半导体器件设计、制造与集成技术；人工智能驱动的功率器件仿真，建模与设计、封装与测试。
三、稿件提交流程
1. 摘要征集阶段
投稿时间：2026年1月1日-5月27日（以邮件发送时间为准）；
征文要求：
·尚未在国内外公开刊物或其他学术会议上发表过的论文；
·主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位;
·按照组委会提供的模板排版全文，论文全文格式要求为WORD，内容不超过6页;
·论文全文需符合APA撰写规范并符合模板排版格式；
·作者须提交文体规范的论文；
·演讲语言可以使用中文或英文（PPT或PDF文档）。
2. 评审与通知
·扩展摘要评审结果预计将于2026年5月27-6月10日通过电子邮箱通知第一作者，并同步在论坛官网公示；
·部分优秀稿件将由组委会推荐至合作期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》，推荐结果及后续所需提交内容将会同时通过邮件告知被推荐人并在论坛官网公示。
3. 全文征集阶段（仅限推荐至期刊作者）
·提交时间：2026年5月10日-6月10日；
·期刊推荐工作预计在会议结束后1-2周内完成。
四、投稿模板及咨询
1.论文投稿
·投稿截止5月27日。投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。
·投稿模板&摘要&海报要求附件下载：
CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf
2.投稿&报告咨询：
郑老师 15618636853，zhengli@mail.sim.ac.cn
贾老师 18310277858， jiaxl@casmita.com
李老师 18601994986， linan@casmita.com
征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn
五、会议日程（拟）
六、会议嘉宾（部分）
七、拟邀参会单位
中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学、上海大学等
八、优秀功率半导体产品征集
为进一步推动我国功率半导体与集成电路领域学术研究与产业应用深度融合，促进前沿技术与市场需求高效对接，搭建优秀产品展示与交流平台，强化产业链上下游协同联动，完善产业生态建设，打造引领我国功率半导体器件与集成电路技术创新与产业高质量发展的标杆平台。2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）将于6月25-27日在上海举办。经大会组委会研究决定，正式启动 “CSPSD 2026 优秀功率半导体产品征集活动”。现将有关事项通知如下：
征集范围
本次征集活动面向在中国地区开展研发、生产及销售业务的功率半导体相关企业，广泛征集在技术创新和优秀市场表现两大核心维度，具备突出优势的功率器件与集成技术相关产品，精准挖掘行业优质成果，助力功率半导体产业高质量发展。
*技术创新维度：重点关注产品在核心技术突破、工艺优化升级、性能指标提升等方面的突出成果，包括但不限于新型功率器件结构研发、集成技术创新、能效提升、可靠性优化等；
*优秀市场表现维度：聚焦产品的市场认可度、销量增长态势、客户口碑、应用场景覆盖广度及市场份额占比等核心指标，凸显产品的市场竞争力与商业化价值。
*征集范围包括但不限于：硅基功率器件与集成技术产品，碳化硅功率器件与集成技术产品，氮化镓、III-V 族化合物半导体功率器件产品，氧化镓/金刚石功率器件产品，功率模组、封装与应用产品，功率器件核心材料、装备及制造相关产品，功率器件 EDA 软件、新材料与交叉领域产品。
产品申报条件
1.申报产品的研发、生产和销售有在中国大陆、香港和澳门地区；
2.申报产品须在技术创新、市场应用与产业贡献方面表现突出；
3.申报产品须为单款产品；
4.申报产品须为上市量产或完成研发且有实物样品；
5.同款产品只能申报一个或首推应用项目类别。
申报程序
1.材料申报。征集通知发出后，参加申报的单位按照征集要求在2026年6月10日前在线填写并提交申报表单。复制链接至浏览器打开→
https://my.feishu.cn/share/base/form/shrcnd8iii0q044GxL7mnxBHQRb
2.材料审核。由组委会秘书处汇总各渠道申请材料，对材料进行形式审查，确定有效成果。
3.审定。由大会组委会对申报材料集中审定，最终确定CSPSD2026优秀产品名单。
享受多重福利
1.展示。大会现场设置集中展示区域，助力企业优秀产品参与现场交流合作；
2.路演。针对有融资需求的企业或团队，提供项目路演/产品推介机会；
3.收录。优秀产品将刊登在CSPSD2026手册，并刊登在大会官网长期展示宣传；
4.宣传。所有征集产品将优先在半导体产业网、第三代半导体产业公众号进行推送宣传；
5.对接合作。免费为提交征集表单的企业提供对接服务，助力企业产品销售及产业链合作；
6.其他。......更多福利敬请期待！
九、注册报名
1.注册及权益：注册费2800元，5月30日前注册报名2500元（含会议资料袋，6月26日午餐、欢迎晚宴、27日自助午餐及晚餐）。
2.在线报名
·扫码注册
扫码注册报名
·注册网址：（请复制链接至浏览器打开）https://forum.casicon.cn/e/4/checkout/create#order_form
·点击阅读原文：点击文末“阅读原文”直接跳转至→报名链接，完成报名。
十、联系咨询
1.论文投稿
·投稿截止5月27日。投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。
·投稿模板&摘要&海报要求附件下载：
CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf
2.投稿&报告咨询：
郑老师 15618636853，zhengli@mail.sim.ac.cn
贾老师 18310277858，jiaxl@casmita.com
李老师 18601994986，linan@casmita.com
征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn
3.赞助、展示及商务合作
贾先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411，vivi@casmita.com
4.报名咨询：
芦老师：13601372457，luli@casmita.com
