意法半导体创新型STDRIVE GaN栅极驱动器赋能工业和消费类应用

适用于工业和消费类应用的先进GaN技术

探索新一代高性能GaN


栅极驱动


器，专为工业和消费类应用实现最高能效及确保可靠性而设计。这些器件支持


高压


轨和1MHz以上的开关频率，具备UVLO、互锁和智能关断等集成保护功能。完美适用于功率


转换器


、


电机驱动器


和电池充电器等应用。新型STDRIVEG612是一款适用于


PFC


、


AC


-


DC


和DC-DC转换器、工业


电机




驱动器


以及太阳能


逆变器


的600V解决方案。它集成了5V GaN栅极驱动、


嵌入式


自举


二极管


以及智能关断过流保护功能，可简化高压GaN设计。

STDRIVEG212专为最高220V的中压应用而设计，例如紧凑型转换器、电机驱动器、


机器人


和电动出行。它提供5μs的快速高侧启动、精确的时序以及优化的dV/dt控制，可帮助设计人员充分发挥GaN的高效率和高功率密度优势。

探索最新的GaN驱动器

STDRIVEG212和STDRIVEG612是一款快速开关型GaN半桥驱动器，配备5V


LDO


、50ns匹配延迟以及Smart


SD


保护功能，适用于220V/600V运动控制和功率级应用。

STDRIVEG612

600V半桥驱动器，内置智能关断过流保护，集成5V LDO、UVLO、自举和互锁功能，采用紧凑型QFN封装，适用于


电机控制


应用。

STDRIVEG212

220V半桥驱动器，内置智能关断过流保护，集成5V LDO、自举、UVLO和互锁功能，采用紧凑型QFN封装，适合电机控制应用。

STDRIVEG210和STDRIVEG211

这些快速、可靠的半桥GaN栅极驱动器将保护功能集成到紧凑的设计中。它们为设计人员提供了两种灵活的选项来管理


电源


转换和运动控制应用中的GaN，可加速推广宽带隙GaN增强型


晶体管


。STDRIVEG210适用于需要极快启动时间的电源应用，而STDRIVEG211专为运动控制应用中的硬开关定制，并具有高侧欠压锁定 (UVLO) 和智能关断过流保护等附加保护功能。

探索GaN驱动器系列

STDRIVE GaN驱动器，适用于软开关应用

高压、快速开关驱动器，专为功率转换系统实现最高能效与可靠性而设计。

STDRIVEG610

600V半桥驱动器，具有300ns快速启动时间、集成6V LDO和自举、UVLO、互锁功能，采用紧凑型QFN封装。

STDRIVEG210

220V半桥驱动器，具有300ns快速启动时间、集成6V LDO和自举、UVLO、互锁功能，采用紧凑型QFN封装。

STDRIVEG600

600V半桥驱动器，具有5至20V灵活栅极驱动电压，集成自举、UVLO、互锁功能。

适用于电机控制应用的STDRIVE GaN驱动器

稳健且受保护的驱动器，专为电机驱动应用提供精准控制和增强安全性而设计。

STDRIVEG611

600V半桥驱动器，内置智能关断过流保护，集成6V LDO、UVLO、自举和互锁功能，采用紧凑型QFN封装，适用于电机控制应用。

STDRIVEG211

220V半桥驱动器，内置智能关断过流保护，集成6V LDO、自举、UVLO和互锁功能，采用紧凑型QFN封装，适合电机控制应用。