FD‑SOI 技术赋能边缘 AI、汽车与连接领域创新

2026 FD‑SOI


论坛


在上海举办，本届论坛围绕 FD‑SOI 技术的独有优势、未来技术演进路线、产业生态与市场增长前景展开深度探讨，聚焦该技术在边缘物理


人工智能


、


自动驾驶


、


通信


连接等赛道的落地价值，描绘了从芯片基底出发构建安全芯片底座的全新产业图景。




论坛上，Soi


te


c FD-SOI业务线总经理 ‌Foo Leng Leong发表题为《FD‑SOI 时代变革：赋能边缘


AI


、


汽车电子


及万物互联》的主题演讲，围绕市场增长、器件物理优势、衬底级硬件安全、量子计算拓展以及全球产业生态，全面解读 FD‑SOI 技术的产业价值。




边缘物理 AI、车载智能化、万物互联三大需求，成为拉动 FD‑SOI 市场扩张的核心驱动力。应用场景已经覆盖车载


AD


AS、智能座舱、边缘 AI 计算单元、


5G


毫米波通信、卫星通信等多元方向。汽车领域，FD‑SOI 适配下一代车载雷达、域


控制器


、车规级连接方案，依托成熟制造体系、更低设计复杂度、持续壮大的产业生态，助力汽车智能化落地；边缘 AI 侧，面向低功耗本地 AI 推理，兼顾算力、功耗与成本；通信方向，则面向 5G 毫米波、卫星通信，提供高集成


射频


SoC 的底层工艺支撑。




FD‑SOI 的竞争壁垒来自底层器件物理特性，自适应体偏置（ABB）、超低电压运行、优异毫米波射频性能构成三大核心优势，带来显著的能效跃升。




对比传统体硅，FD‑SOI 可以大幅降低软错误率（SER），抗辐射能力更强，更适配汽车、工业等高温、强干扰的严苛工况。不同于依靠上层 IP 堆砌安全能力的传统芯片设计思路，FD‑SOI 依托埋氧层介电隔离结构，实现**衬底原生硬件安全**，从硅基底构建安全层，而不只是依赖上层逻辑安全设计。




针对激光故障注入（LFI）这类硬件攻击手段，实测数据显示：22FDX 相较 28nm 体硅，垂直维度攻击灵敏度降低 5 倍，横向维度降低 30 倍，整体抗激光故障注入能力提升 150 倍，攻击识别时间延长 60 倍。无需增加大量安全 IP 开销，即可满足车规等高等级安全规范，非常适合汽车、边缘 AI、工业


物联网


、高安全固件系统等对硬件抗攻击有强需求的场景。




如今 FD‑SOI 已经构建完整的全球产业链，覆盖衬底供应、晶圆代工、IP 设计服务到终端落地全链条。工艺节点覆盖 40nm、28nm 成熟工艺，22nm、18nm 已经实现大规模量产，同时持续向 12nm 及更先进节点迭代。全球多家 IDM、晶圆代工厂已经导入 FD‑SOI 平台，国内产业链伙伴也深度参与共建生态，在兼顾性能‑功耗‑成本的前提下，为国内边缘 AI、车载安全、高频通信产业提供新的工艺选择。