刷新纪录！国产芯片又有新突破！

半导体行业圈 振兴国产半导体产业！

9月15日消息，据报道，中国科学院半导体研究所科研人员研制出一种新型“铁电隧穿结”。利用原子层间仅埃米级的微小滑移，即可让开关电阻相差约1900万倍，并反复开关超过1000亿次，为开发更省电、更耐用的存储与存算一体芯片提供了新路径！

据悉，铁电隧穿结可看作一个微型“三明治”：上下两层是电极，中间夹着一层极薄的铁电材料。这层材料本为绝缘体，电子难以通过；但当厚度薄到一定程度后，电子就能像“穿墙”一样隧穿而过。

同时，铁电材料的极化方向可以翻转，方向一变，这堵“墙”的高低也随之改变：墙矮时电子容易通过、电流大，记作一种状态；墙高时电子难以通过、电流小，记作另一种状态。两种状态电阻差别越大，数据读出就越准确。

然而，长期困扰学界的是，大电阻差与耐反复读写往往难以兼得。传统铁电材料“力气大”，能让电阻差别很明显，但反复开关后容易“疲劳”，寿命有限。

新型二维滑移铁电材料则相反，它依靠原子层之间极微小的错动来改变状态，几乎不磨损，能反复开关超过1000亿次，比传统材料耐用得多，但极化信号弱、电阻变化不明显，数据读起来费劲。

此次，中国科学院半导体研究所吴江滨研究员、谭平恒研究员团队与香港大学汪涵教授团队合作，在器件中引入三种关键功能层：

氮化硼像一道均匀的“薄墙”，减少漏电并提供稳定隧穿势垒。二维滑移铁电材料像可滑动的“闸门”，原子层一错动就能调控这道墙的高低。单层石墨烯则像灵敏的“感受器”，能察觉变化并调节穿过墙的电子数量。三者配合产生“四两拨千斤”的效果，把微弱的极化变化转化为巨大的电阻差别。

该工作在紧凑的两端结构中同时实现了巨大的非易失读出窗口、超高耐久性、大驱动电流、快速切换和低开关能耗，突破了铁电隧穿结中读出对比度与循环可靠性相互制约的瓶颈。

未来，随着大规模阵列与配套电路的完善，这类器件有望更快、更低功耗地完成数据存取与计算。这将助力手机、个人电脑等终端设备在有限功耗条件下承载更为复杂的计算任务，为破解计算系统算力与功耗矛盾、支撑存算一体新型计算架构落地提供新方案。

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