单条 512GB！美光发布全球首款超高密度 DDR5 RDIMM

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美光科技于美国当地时间9 月 15 日在爱达荷州博伊西宣布内存创新的一项重要进展：已在多款服务器平台上成功演示全球首款 512GB DDR5 模组。公司称，这一进展巩固了美光在高性能、大容量服务器内存领域的地位，也为企业数据中心和云客户提供了一条路径，以更高效率支撑大规模、高要求的人工智能、分析、内存数据库以及仿真密集型负载。AMD 与英特尔均在积极验证该模组，数据速率最高将达到 9,200 MT/s。

这款模组的高容量，依托美光的先进垂直互连封装。产品将 DRAM 晶粒垂直堆叠，并以硅通孔（TSV）互连，在单颗 DRAM 封装内尽量提高密度，同时保持现代数据中心架构所需的性能。在一台 24 插槽的双路服务器上，该模组最高可配置 12TB DDR5 DRAM。

美光云内存事业部高级副总裁兼总经理拉杰·纳拉辛汉（Raj Narasimhan）表示，美光继续在内存技术上领跑，推出新一类超高密度、高性能服务器内存，帮助客户把更大的数据集放在更靠近所需计算引擎的位置。他说，512GB RDIMM（寄存式双列直插内存模组）可以支撑多 TB 级服务器，在既有服务器外形尺寸内，兼顾更大的人工智能和数据库负载、更高的虚拟化密度，以及更好的能效。

AMD 与英特尔正在验证

美光正与主要生态伙伴密切合作，在下一代服务器平台上验证这款 512GB DDR5 RDIMM，以确保广泛兼容，并为后续部署铺路。

AMD 企业副总裁、负责计算与企业人工智能平台解决方案工程的阿米特·戈埃尔（Amit Goel）表示，随着人工智能和数据密集型负载改写基础设施需求，AMD 方案继续提升数据中心的性能、可扩展性和效率。与美光的紧密工程协作，把计算与内存两方面的创新结合起来，帮助客户充分发挥 AMD 平台的价值。双方共同面向现代负载不断上升的规模和复杂度，提供均衡、高性能的基础设施。

英特尔数据中心事业部平台与系统工程总经理卡琳·艾布希茨·西格尔（Karin Eibschitz Segal）说，人工智能及其他数据密集型负载的增长，给服务器基础设施提出了新要求，内存容量和带宽对整机性能越来越重要。英特尔正与美光密切合作，验证其 512GB DDR5 RDIMM，并帮助打造面向下一代数据中心负载的未来服务器平台。

面向数据密集型负载

大语言模型、智能体式人工智能、实时推理以及高核心数 CPU 负载迅速铺开，正在推高对更大服务器内存容量、更高带宽和更好能效的需求。美光 512GB RDIMM 的应对方式，是让更大的数据集驻留在主内存中，从而减少对更慢存储层的依赖，并降低数据搬移的代价。与四根 128GB RDIMM 相比，新的 512GB RDIMM 还可把运行功耗降低超过 60%。公司给出的对比基准是：一根 512GB 模组 16.0 瓦，四根 128GB 模组合计 44.2 瓦。

在 Spark 支持向量机（SVM）这类内存受限的数据分析负载上，美光 512GB RDIMM 相较 256GB DDR5 配置，性能最高约为后者的 1.4 倍。该模组对 RocksDB、Redis 等内存密集型数据库和缓存平台也有明显帮助，可提高吞吐、增加并发，并更高效地扩展数据集。

摩根大通基础设施平台首席信息官达林·阿尔维斯（Darrin Alves）表示，随着数据中心负载持续增长，公司越来越关注如何在整栈上优化计算、内存与效率之间的平衡。像美光 512GB RDIMM 这样的更高容量内存技术，将帮助企业支撑更大的内存内负载、提高资源利用率，并增强扩展现代计算环境所需的灵活性。

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