1、日前，上交所上市审核委员会2026年第27次审议会议传来重磅喜讯，长鑫科技集团股份有限公司（下称“长鑫科技”）科创板IPO申请顺利过会，且无任何后续落实事项，正式迈入A股上市注册收官阶段。

2、长鑫科技成功打破了海外企业在DRAM先进制程、核心架构、量产工艺上的长期技术封锁，填补了国内高端DRAM产业的空白，彻底终结了中国无自主可控高端DRAM量产能力的历史。区别于国内多数半导体设计或代工企业，长鑫科技采用行业顶尖的IDM全产业链运营模式，全面覆盖DRAM芯片设计、晶圆制造、封装测试、终端销售全流程，是国内极少数掌握完整DRAM产业核心技术体系的企业。

3、从空白落后到自主量产，从技术突围到规模领跑，长鑫科技走完了海外巨头数十年的发展之路，创造了国产DRAM产业的发展奇迹。本次295亿巨额募资赋能，将成为国产存储产业跨越式发展的新起点。

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文/王老师

日前，上交所上市审核委员会2026年第27次审议会议传来重磅喜讯，长鑫科技集团股份有限公司（下称“长鑫科技”）科创板IPO申请顺利过会，且无任何后续落实事项，正式迈入A股上市注册收官阶段。

作为科创板试点IPO预先审阅机制落地后的全国首单过会企业，长鑫科技的成功过会绝非单一企业的资本事件，而是中国DRAM存储芯片产业突破海外长期垄断、实现自主可控跨越式发展的里程碑节点，更是资本市场精准赋能硬核科技、助力国家科技自立自强战略落地的核心标杆事件。

从完整上市进程来看，2025年7月，公司完成上市辅导备案，正式启动上市筹备工作；同年10月顺利通过监管辅导验收，治理结构、内控体系、信息披露机制全面达到上市标准；2025年12月30日，公司IPO申请正式获上交所受理。

2026年，因行业通用财务资料更新需求，公司审核流程短暂中止，在完成资料更新、恢复审核后，仅用十天时间便顺利通过上市委审议，审核推进效率位居本年度科创板重磅IPO项目前列。

资本市场普遍认为，长鑫科技登陆A股后，将成为科创板核心权重标的，有望冲击万亿级市值规模，与正在推进IPO的长江存储形成“DRAM+NAND”国产存储双巨头上市格局，构建起中国半导体存储产业的资本核心矩阵。

本次IPO长鑫科技拟募集资金295亿元，募资规模跻身科创板历史顶级梯队，将为国产存储产业技术迭代、产能升级、生态完善注入海量资本活水，彻底改写全球DRAM产业的竞争格局。

存储芯片是数字经济的核心基石，是人工智能、云计算、大数据、服务器、消费电子、汽车电子等所有数字产业的核心基础元器件，也是半导体产业中市场规模最大、战略地位最高的细分赛道之一。其中，DRAM动态随机存取存储器作为主流内存芯片，广泛应用于手机、电脑、服务器、工控设备、智能汽车等终端设备，是数字硬件的“刚需核心部件”，市场空间广阔且刚性需求持续存在。

但长期以来，全球DRAM产业呈现出极高寡头垄断格局，行业技术壁垒、资金壁垒、产能壁垒、专利壁垒极高，新进入者难以突破。目前，三星、SK海力士、美光科技三大海外巨头牢牢掌控全球DRAM市场，三家企业合计占据90%以上的全球市场份额，垄断了全球先进制程技术、核心专利、高端产能与市场定价权，形成了稳固的行业寡头壁垒。

从产业发展历史来看，过去二十年间，全球DRAM行业历经多轮并购整合，中小厂商逐步出清，行业集中度持续攀升，海外三巨头凭借数十年的技术积累、千亿级年度资本开支、完善的专利布局，构筑起难以逾越的行业护城河。

除了高度垄断的市场格局，DRAM行业还具备强周期性、高资本投入、长研发周期三大核心特征，进一步抬高了国产入局门槛。行业周期与全球消费电子需求、巨头产能投放、库存调控高度绑定，三巨头可通过集中增减产能、调控库存、调整出货价格主导全球市场价格走势，导致DRAM产品价格波动剧烈，行业盈利周期波动显著。

同时，DRAM先进制程迭代速度快，从20nm级向19nm、17nm、15nm及以下先进制程迭代过程中，每一代技术升级均需要百亿级资金投入，且研发验证周期长达3-5年，试错成本极高，对企业资金实力、技术沉淀、量产经验提出极致要求。

反观国内存储产业，在长鑫科技实现规模化量产之前，我国DRAM产业长期处于“空白状态”，国内终端厂商所需的高端DRAM芯片100%依赖进口，不仅造成每年数千亿级的贸易逆差，更存在严重的供应链安全隐患。

在全球科技博弈加剧、半导体供应链本土化重构的大背景下，海外巨头多次通过技术限制、产能管控、价格调控、专利壁垒等方式制约国产存储产业发展，国内数字经济、算力产业、新能源汽车等核心产业的供应链自主可控面临严峻挑战，国产DRAM替代已经成为我国半导体产业突围的核心刚需。

正是在这样的产业背景下，长鑫科技的崛起具备极强的战略价值。作为国内唯一、全球第四的DRAM全产业链IDM企业，长鑫科技是国内首家实现先进制程DRAM芯片自主研发、规模化量产、市场化销售的企业，目前全球市场份额已稳步提升至7.67%，是突破海外三巨头垄断、跻身全球第一梯队潜力的中国企业。

这种全链条布局模式，彻底规避了产业链外包带来的技术卡脖子、产能受限、交付延迟等问题，实现了核心技术自主、产能自主、供应链自主，构建起差异化的核心竞争壁垒。

技术层面，长鑫科技深耕DRAM核心技术多年，攻克了一系列海外垄断的关键核心技术，成功实现19nm级别先进制程DRAM芯片稳定量产，且持续推进制程迭代与性能优化。相较于行业传统工艺，公司自主研发的存储单元结构、制程工艺、电路设计技术，在芯片良率、运行稳定性、功耗控制、读写速度等核心指标上达到国际主流水平，可全面适配消费电子、高端服务器、AI算力设备、车载工控等高精尖场景需求。

此外，公司持续布局前瞻技术研发，聚焦下一代低功耗、高带宽、高密度DRAM芯片技术，为长期技术迭代预留空间，打破了海外企业的技术迭代垄断节奏。

产能层面，长鑫科技已建成成熟的规模化量产基地，依托合肥半导体产业集群优势，形成了完善的产能配套体系。随着本次295亿募资落地，公司将持续推进晶圆产线升级、产能扩建项目，进一步扩充先进制程DRAM产能，缓解国内高端存储芯片产能紧缺的现状。长期来看，产能规模的持续提升，将帮助公司进一步摊薄生产成本、提升市场份额，逐步缩小与海外三巨头的产能差距，提升全球市场话语权。

产品与市场层面，长鑫科技的DRAM产品矩阵已实现全覆盖，可匹配移动端、PC端、服务器端、工业级、汽车级等多场景需求，产品稳定性、兼容性、性价比得到全球主流终端客户认可。

目前，公司产品已成功进入全球供应链体系，广泛应用于消费电子、云计算、人工智能、自动驾驶、工业互联网等核心领域，成为国内算力基础设施、新能源汽车产业稳定供货的核心保障，有效对冲了海外供应链断供风险。

业绩层面，依托技术壁垒与产能释放，长鑫科技迎来业绩爆发式增长，盈利能力领跑国内存储行业，充分验证了国产DRAM的市场竞争力。数据显示，2026年第一季度，公司归母净利润高达247.62亿元，同比暴涨1688%，营收规模与盈利水平实现跨越式提升。

这一亮眼业绩，一方面得益于全球存储芯片行业回暖、下游算力与终端需求持续扩容，另一方面印证了长鑫科技产品的市场认可度持续提升、国产替代进程加速，企业盈利模式成熟且具备极强的可持续性。

实际上，当前全球DRAM产业正处于周期复苏、格局重构、国产突围的三重关键节点，长鑫科技的资本化恰逢其时，将充分受益于行业多重红利，推动国产存储产业进入高速发展阶段。

从行业周期来看，历经前期行业库存调整、价格回调后，2025-2026年全球DRAM行业正式进入复苏上行周期。随着AI大模型、智算中心、云计算产业持续爆发，高端服务器、AI算力芯片配套的高带宽、大容量DRAM芯片需求持续激增，叠加消费电子行业复苏、新能源汽车智能化升级，全球DRAM市场刚需持续扩容，产品价格稳步回升，行业整体盈利能力持续修复。

与此同时，海外三巨头基于行业周期调控，主动放缓新增产能投放节奏，行业供需格局持续优化，为国产厂商抢占市场份额提供了绝佳窗口期。

从国产替代逻辑来看，半导体供应链本土化已经成为全球产业发展的核心趋势。在国家科技自立自强战略指引下，国内半导体产业政策持续加码，资金、人才、产业资源持续向存储芯片等核心赛道聚集。

过去数年，国内NAND闪存领域已实现长江存储突围，而DRAM赛道长期缺乏规模化国产力量，长鑫科技的快速崛起，补齐了国内存储产业的最后一块核心短板，形成“长鑫DRAM+长江存储NAND”的国产存储双龙头格局，实现我国两大主流存储芯片品类的自主可控突破。

从产业生态来看，长鑫科技的资本化与扩产迭代，将全面带动国内存储上下游产业链协同发展。目前，合肥已依托长鑫科技形成国内最完善的DRAM产业集群，覆盖设备、材料、封装、测试、终端应用等全链条环节。

随着长鑫科技产能与技术持续升级，将持续带动国内半导体设备、光刻胶、特种气体、晶圆代工、封装测试等配套产业成长，培育一批国产存储供应链核心企业，逐步降低国内存储产业对海外设备、材料、技术的依赖，构建完全自主可控的国产存储产业生态。

从资本市场维度来看，长鑫科技的成功过会，进一步夯实了科创板“硬科技”的核心定位。科创板自开板以来，始终聚焦服务国家战略性新兴产业，重点扶持半导体、高端制造、人工智能等硬核科技企业。

长鑫科技作为国内DRAM产业的核心标杆，其高效过会、即将上市，充分体现了资本市场对关键核心技术攻关企业的精准赋能，通过直接融资方式为科技企业提供长期、大额、低成本的资金支持，助力企业突破技术与产能瓶颈，推动新质生产力在半导体产业落地生根。

在高速发展的同时，也需客观看待长鑫科技及国产DRAM产业面临的行业挑战：

首先，全球DRAM行业寡头垄断格局根深蒂固，海外三巨头拥有数十年的技术积累、海量专利储备、极致的成本控制能力与成熟的全球渠道体系，长鑫科技在先进制程迭代速度、高端产品渗透率、全球市场份额等方面仍存在较大追赶空间。

其次，DRAM行业强周期性特征无法规避，全球供需波动、巨头产能调控、终端需求变化，均可能导致行业价格波动，对企业短期经营业绩形成一定影响。

此外，全球科技贸易壁垒持续存在，海外技术限制、专利诉讼、供应链管控等外部风险，仍是国产存储企业出海与高端技术迭代的潜在阻碍。

但长期来看，国产DRAM产业的成长逻辑清晰、确定性极强，行业发展机遇远大于挑战。随着本次295亿募资落地，长鑫科技将彻底解决制约企业发展的核心瓶颈——资金短板，持续加大先进制程研发投入，加速19nm及以下先进制程技术量产落地，推动产品性能、良率、成本持续优化，缩小与国际巨头的技术差距。同时，大规模产能扩建将进一步提升公司市场供给能力，抢占全球周期复苏红利，持续提升全球市场份额。

产业层面，长鑫科技的规模化发展，将推动我国DRAM产业完成从“技术突破、小规模量产”向“规模化替代、高端引领”的质变。此前，国产存储仅能实现低端、中低端产品替代，而长鑫科技的技术迭代与产能升级，将逐步实现高端服务器、AI算力、车载级高端DRAM芯片的国产替代，彻底打破海外巨头在高端存储市场的垄断格局，提升我国在全球半导体产业中的话语权与定价权。

生态层面，未来长鑫科技将持续发挥龙头牵引作用，依托自身IDM全产业链优势，带动国内存储上下游企业协同创新、联合攻关，突破设备、材料、工艺等细分领域“卡脖子”问题，完善国产存储产业生态体系，推动国内存储产业从单一企业突围，走向全产业链整体崛起。

同时，公司将持续深耕前沿技术研发，布局下一代存储技术赛道，构筑长期技术竞争优势，助力我国存储产业实现从“跟跑、并跑”向“领跑”的跨越。

长鑫科技成功过会，不仅是一家头部科技企业的资本里程碑，更是中国DRAM产业打破海外垄断、实现自主自强的标志性事件。在全球半导体产业格局重构、科技竞争日趋激烈的时代背景下，存储芯片的自主可控，是国家数字经济安全、产业链供应链安全的核心保障，是新质生产力发展的重要支撑。

从空白落后到自主量产，从技术突围到规模领跑，长鑫科技走完了海外巨头数十年的发展之路，创造了国产DRAM产业的发展奇迹。本次295亿巨额募资赋能，将成为国产存储产业跨越式发展的新起点。

未来，随着长鑫科技正式登陆A股，企业将开启技术迭代、产能扩张、生态升级的全新征程，持续夯实国产存储产业根基，推动我国从存储大国向存储强国跨越，为中国半导体产业高质量发展、数字经济持续升级、国家科技自立自强战略落地注入源源不断的硬核动力。

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