行业观察

News: Microelectronics 5 May 2026 Power Integrations appoints Mike Balow as senior VP, worldwide sales Power Integrations Inc of San Jose, CA, USA (which provides high-voltage integrated circuits for

News: Suppliers 4 May 2026 Aixtron’s Q1 revenue down 47% year-on-year, but opto drives 30% growth in orders Confirming its preliminary figures released on 14 April, for first-quarter 2026 deposition e

News: Suppliers 5 May 2026 AXT’s revenue grows 17% in Q1 after greater-than-expected export permits For first quarter 2026, AXT Inc of Fremont, CA, USA — which makes gallium arsenide (GaAs), indium ph

News: Microelectronics 1 May 2026 EU-funded HiPower 5.0 project developing GaN-based EV on-board chargers Electric vehicles should be better for the environment, powerful, but also affordable. However

News: Microelectronics 5 May 2026 ST unveils 100W VIPerGaN converters for energy-efficient appliances STMicroelectronics of Geneva, Switzerland has introduced two 100W VIPerGaN high-voltage converters

受 AI 算力与高带宽数据传输需求拉动，全球主流存储厂商已全面启动下一代 DDR6 内存前置研发工作。据业内媒体消息，三星电子、SK 海力士、美光三大存储龙头近期已向内存基板供应商下达需求，正式开启 DDR6 早期联合开发。 目前原厂已向基板厂商开放核心设计细节，明确内存厚度、叠层结构、线路布线等关键参数，支撑供应链同步开展配套研发，行业现已进入 DDR6 原型样品生产与测试阶段。按照存储行业研发

AI 芯片浪潮带动先进封装需求持续高景气，全球半导体设备行业并购整合提速。据行业媒体报道，港股企业 ASM 太平洋（ASMPT）与美国半导体设备龙头应用材料达成股权收购协议，拟以 1.2 亿美元基础对价，转让旗下子公司 ASMPT NEXX 全部权益。 本次交易设置风险保障机制，交割环节将留存 1800 万美元作为赔偿托管金，维护收购方合法权益。目前交易尚需满足多项前置交割条件，双方约定最晚于 2

为缓解对台积电的单一依赖、保障核心芯片供应稳定，苹果正积极推进供应链多元化布局。据彭博社报道，苹果已与英特尔、三星电子展开初步洽谈，探讨由后两者代工部分核心设备主处理器，有望形成台积电之外的第二供应体系。 据悉，苹果已与英特尔就晶圆代工服务进行早期沟通，同时公司高管近期实地考察了三星位于美国得克萨斯州在建的先进芯片工厂。不过截至目前，双方尚未达成任何订单，合作仍处于初步探索阶段。苹果方面对采用非台

据日经新闻报道，日本半导体材料厂商JSR计划在我国台湾地区新建光刻胶生产工厂，这也是其首次布局台湾半导体材料制造基地，重点为台积电提供配套供应。 据悉JSR已在台湾地区设有研发与销售据点，此次规划投资达数千万美元，新工厂最快2028年可投产运营。同时JSR将与台积电联合研发先进光刻胶产品，并于今年4月初携手台湾本地企业成立合资公司，专项推进该合作项目落地。 JSR希望通过深化与台积电的战略合作，稳

随着英特尔 EMIB 嵌入式多芯片互连桥接先进封装技术商业化提速、市场认可度持续走高，公司正全面加快全球先进封装产能布局。据外媒报道，英特尔同步推进 EMIB 产能扩建，美国俄勒冈工厂先行扩容，越南被确立为其先进封装业务另一大核心增长基地。 为匹配产能扩张节奏，英特尔已向中国台湾封测设备企业批量采购设备，激光、干法、封装固化等多类设备厂商纳入采购名单，相关设备将集中在 2026 年下半年交付落地，

全球 3D NAND 正加速向 300 层及更高规格迭代，铠侠联合闪迪率先在超高密度堆叠技术上取得关键进展。据业内媒体披露，双方依托晶圆间铜直接键合工艺，采用 MSA-CBA 多层堆叠单元阵列架构，全球首次完成 QLC 四级单元技术演示，为未来突破千层级超高密度 3D NAND 奠定技术基础。 该项突破性成果将于 6 月在 2026 年夏威夷 VLSI 超大规模集成电路研讨会正式发布。铠侠与闪迪表

2026年5月3日，Applied Materials， Inc. 宣布已与 ASMPT Limited（港交所代码：0522）达成最终协议，收购其 NEXX 业务，后者是半导体行业大型先进封装沉积设备的领先供应商。NEXX团队和产品的加入将拓宽Applied面板级先进封装技术组合，旨在帮助芯片制造商和系统公司构建更大体积的AI加速器，实现更高的能效性能。 随着AI工作负载的增加，需要更大规模的芯

新材料是高端制造、半导体、新能源、航空航天、国防军工等国民经济核心领域的 “工业基石”，更是我国突破高端技术“卡脖子”瓶颈、实现制造业转型升级的核心抓手。长期以来，传统材料研发遵循“理论假设-实验试错-迭代优化”的线性范式，普遍面临研发周期长、试错成本高、经验依赖度强、成果转化率低等行业痛点，一款高端新材料从实验室发现到产业化量产，往往需要10-20年的周期，严重制约了我国高端制造产业的自主可控进

近期，安森美（onsemi）与蔚来汽车正式宣布扩大战略合作，聚焦下一代900V电动汽车平台演进。此次合作基于双方多年技术协同基础，安森美将提供其最新研发的 EliteSiC M3e碳化硅功率模块 ，助力蔚来实现从400V向900V高压架构的跨越式升级，开启电动汽车能效与性能的双重革新。技术核心：EliteSiC M3e的突破性优势 EliteSiC M3e采用安森美第三代碳化硅MOSFET技术，核

芯程万里风正劲，智创未来开新局。当下，人工智能技术全面爆发，深度重构半导体产业格局。“2026芯导科技（春季）产品推介会暨合作伙伴大会”在深圳益田威斯汀酒店盛大召开。 高瞻远瞩启新程，凝心聚力向未来。大会伊始，芯导科技董事长欧新华先生发表开幕演讲，以高瞻远瞩的行业视野，解读了当下半导体产业的发展现状与当前机遇，分享了芯导科技的发展战略与未来规划，为在场嘉宾指明了合作方向、注入了发展信心。 作为大会