行业观察

5月7日消息，台积电已经将原本部分规划中的Fab 15A工厂调整为4nm制程生产基地，用来承接持续暴涨的AI与高性能计算芯片需求。业内认为，这意味着4nm工艺的订单量已经超出预期，尤其是在AI服务器、数据中心以及高端GPU领域，市场需求依旧非常旺盛。更关键的是，台积电位于台中，用于生产1.4nm先进工艺的新工厂建设进度，也比原计划更快。此前外界曾担心，全球经济环境变化以及海外扩产，会影响台积电在中

1980 年代，日本半导体产业如日中天，一度占据全球芯片市场超过 50% 的份额。美国人坐不住了——不是因为买不到芯片，而是因为他们意识到，一个国家如果无法掌控自己的「硅」，就等于把战略命脉交给了别人。于是有了《半导体协议》，有了后来的 Intel 复兴，有了今天的《芯片法案》。四十年后，同样的焦虑以一种更私人的方式，出现在了伊隆·马斯克身上。只不过这一次，想要掌控「硅」的，不是一个国家，而是一个

5 月 8 日消息，去年秋天，OpenAI 与芯片巨头博通高调宣布联合研发 AI 芯片，彼时双方都将其视作一桩板上钉钉的交易。然而数月过去，这笔被寄予厚望的合作却陷入了僵局。根据 The Information 看到的一份内部备忘录及两名参与谈判的知情人士透露，双方目前正在协商由博通出资推进芯片生产第一阶段的建设。这个阶段需要消耗 1.3 吉瓦的数据中心算力容量，造价约为 180 亿美元（注：现汇

5月7日消息，三星最新推出的Exynos 2600采用了先进的2nm工艺制程，成为了全球首款正式亮相的2nm手机芯片。在2nm技术商用之后，三星并没有放慢脚步，而是正在积极布局更具挑战性的1.4nm光刻技术。据行业爆料，未来的三星Exynos 2800将率先采用1.4nm工艺，预计其能效表现将比现有制程提升25%。这一跨越式的发展，标志着智能手机行业即将正式迈入1nm时代。根据早期披露的规格，Ex

Foxconn announced a strategic partnership with ElectroMobility Poland S.A. (EMP), a Polish state-owned enterprise, to jointly evaluate building an electric vehicle manufacturing and R&D center in Pola

随着半导体产业向先进封装时代加速迈进，高密度互连（HDI）技术作为芯片性能跃迁的核心支撑，正成为行业竞逐的焦点。5月15-17日，由江南大学、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办的“2026先进半导体封装技术与应用论坛（CASPF 2026）”将在江阴启幕，无锡中微高科电子有限公司副总经理李杨受邀将出席论坛，并带来《面向超集成的高密度互连技术开发与挑战》 的主题报告。 当前，HDI技术正处于

随着 AI 大模型参数呈指数级增长、算力集群规模持续突破物理极限，电力已成为制约中国 AI 产业发展的核心瓶颈。2026 年，"算电协同" 首次被写入政府工作报告，正式纳入国家新基建工程，标志着算力与电力两大赛道深度融合，成为决定中国 AI 未来发展的核心支撑。当前，传统供电架构已难以适配兆瓦级算力需求，固态变压器（SST） 凭借颠覆性技术优势，成为 800VDC 高压直流架构的核心载体与产业竞争

近日，山东大学集成电路学院刘超教授团队在微型发光二极管（Micro-LED）显示技术领域取得重要进展，实现了单片集成全氮化镓（GaN）有源驱动的Micro-LED显示模块。相关成果以“All-GaN monolithic integration of 2T1C pixel circuits with μLEDs”为题，发表于光学领域权威期刊Optics Letters。山东大学集成电路学院博士研究

5月6日，英伟达与康宁宣布达成长期战略合作。英伟达将通过认股权证方式，对康宁进行最高27亿美元的投资（首期5亿美元）；康宁将在美国新建3座工厂，将面向AI基础设施的光连接产能提升10倍、光纤扩产50%以上。 根据协议，双方在资本、技术、产能三个层面形成深度绑定。英伟达先期投入5亿美元，可按每股180美元的价格认购1500万股康宁普通股，总投资上限达27亿美元。康宁将在北卡罗来纳州和得克萨斯州投建3

英飞凌推出1200V 62mm半桥模块产品扩充，额定电流涵盖450A到800A，采用预涂导热界面材料和共发射极配置。 产品描述： FF800R12KE7P FF800R12KE7P_E FF600R12KE7P FF600R12KE7P_E FF450R12KE7P FF450R12KE7P_E 产品特性 最高功率密度 业界领先的集电极-发射极饱和压降 (VCEsat) 最高结温 (Tvj op)

香港大学（港大）工程学院团队近日取得一项重要科研突破，研究人员成功透过机械拉伸技术，令氮化镓（GaN）材料的发光颜色实现从「紫外光（UV）到蓝光」的动态调控。这项技术突破为未来先进功率电晶体、光电元件、射频元件以及微型发光二极管（LED）显示器提供了全新的半导体材料调控方案。 图1: 展示氮化镓块体微加工制成单晶微桥。左上为加工前块体材料；右上为微桥样品；下图呈现拉伸测试过程，显示样本断裂前可达6

山东大学集成电路学院刘超教授团队在超宽禁带半导体AlGaN功率器件研究中取得新进展，相关成果以“1 kV vertical Al0.51Ga0.49N power Schottky diodes”为题，发表在电子器件领域权威期刊Applied Physics Letters。刘超教授为论文通讯作者，博士研究生张淑慧为论文第一作者，山东大学为该论文第一完成单位，合作单位为圆融光电科技股份有限公司。

5月8日上午，工信部在北京举办《人工智能终端智能化分级》（GB/Z 177—2026）系列国家标准发布宣贯会，会上公布了终端智能化的分级体系:人工智能终端根据智能化程度不同，将分为L1响应级、L2工具级、L3辅助级和L4协同级，智能化水平依次提高，终端更“聪明”。 人工智能终端是人工智能技术规模化落地、体系化发展的关键载体。近年来，我国人工智能产业蓬勃发展，人工智能终端以丰富多元的智能场景为牵引，

为进一步推动我国6G技术研发、标准研制与产业化进程，工业和信息化部近日向 IMT-2030（6G）推进组批复6GHz频段6G试验频率使用许可，支持其在部分地区开展6G技术试验，面向国际电信联盟确定的6G典型场景与关键性能指标，开展技术研发攻关和测试验证。 6GHz频段指的是6425-7125MHz范围内的无线电频谱资源。2023年7月1日，工业和信息化部在全球率先将其划分用于国际移动通信系统。无线

当地时间5月6日，全球AI计算龙头英伟达（NVIDIA）与材料科技巨头康宁（Corning）正式官宣达成多年期深度商业与技术战略合作，以资本绑定、产能共建、技术协同的全方位模式，直击AI算力基础设施的高速光互联瓶颈，为全球AI产业爆发筑牢关键供应链底座。根据协议，康宁将在美国本土实施史无前例的光通信产能扩张，英伟达则以巨额认股权证深度绑定长期产能，此举不仅验证AI光通信赛道的超高景气度，更将重塑全