行业观察

真空共晶炉专注厂家：核心竞争力构建与市场破局路径解析“实验室里的‘芯片焊接难题’，为何成了真空共晶炉厂家的‘破局密码’？”真空共晶焊接作为半导体封装、军工电子、光通信等领域的关键工艺，其设备性能直接决定了产品的可靠性与寿命。然而，市场上多数厂家要么聚焦大型生产线设备（成本高、灵活性不足），要么在精密性上难以满足科研需求（真空度、温度均匀性不达标），这给专注于真空共晶炉的厂家留下了细分市场的破局空间

真空共晶炉技术强的厂家：行业决策者选型核心指标深度解析“选真空共晶炉，别只看参数——技术强的厂家，藏在这3个‘看不见’的指标里”真空共晶炉作为半导体封装、军工电子、科研材料领域的核心设备，其焊接质量直接决定了产品的可靠性。对于行业决策者而言，选型时往往陷入参数对比的误区，却忽略了技术实力背后的隐性价值。本文将从核心工艺、可靠性、服务能力三个维度，解析技术强的厂家应具备的关键指标，并结合实际案例，为

一、巨额融资，聚焦核心业务近日，此芯科技CIX宣布成功完成总额近10亿元人民币的B轮融资。本轮融资意义重大，资金将重点投向两大方向：一是推动现有产品的规模化商用，让产品更快走向市场、服务客户；二是加速下一代高性能智能体CPU的研发与量产，为技术升级和产品迭代提供坚实保障，同时助力智能体终端生态的构建。二、豪华阵容，多方资本加持此轮融资吸引了众多实力投资方。领投方为上海市区两级国资平台——上海IC基

2026年，新能源汽车高压化进程遭遇"甜蜜的痛苦"：800V平台尚未完全普及，1500V超高压已呼啸而至。比亚迪兆瓦闪充2.0的量产，让"充电5分钟续航400公里"成为用户新基准，但产业链准备好了吗？器件端，1500VSiC模块的良率爬坡、栅氧可靠性验证、高温高湿环境下的长期稳定性，仍是悬在量产头上的三把利剑。系统端，2万座闪充站的建设浪潮倒逼电源管理系统向"兆瓦级功率密度+99%以上能效"进化，

国际电子商情1日讯 近期，国产GPU(图形处理器)设计公司摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司(以下简称“摩尔线程”)披露了2025年度业绩快报及一份重大销售合同。两份公告显示，公司2025年业绩实现高速增长，并于近期获得一笔大额订单，引起了市场对国产GPU领域竞争格局的关注。业绩大幅改善，亏损显著收窄根据公司于2026年2月28日发布的业绩快报，2025年度摩尔线程实现营业总收入15.06亿元，

钙钛矿太阳能电池（PSC）因其易于制造、成本低和卓越的光电性能而成为有前景的下一代光伏技术。倒置（p-i-n）PSC因其卓越的操作稳定性和与串联器件的兼容性而受到特别关注。它们的快速发展是由一类特定空穴选择性层的发展推动的，这种层最初被称为自组装单层（SAM）。这些有机分子在透明电极和钙钛矿吸收剂之间的界面处自组装成分子层，促进了有效的电荷提取，并已成为高性能器件的重要组成部分。近日，浙江大学薛晶

成均馆大学Young-Jun Kim、Hyun-seung Kim、延世大学Yong Min Lee报道了一种可扩展的干电极制造策略，该策略将单壁碳纳米管（SWCNT）包裹的LiNi0.8Co0.15Mn0.03Al0.02O2颗粒与卷对卷无溶剂电极处理相结合。本文要点1) 这种方法解决了干混中导电添加剂的不均匀性，克服了传统浆料浇注的局限性。通过电位调控形成的SWCNT提供了一个连续的导电网络，

2026九峰山论坛｜八大前沿议题，共探化合物半导体产业未来图景点击或扫码进行观众登记—— 完 ——推荐阅读：会议通知 | 2026先进半导体封装技术与应用论坛（CASPF 2026)将于5月在江阴举办聚势共赴！2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD2026）邀您6月相约上海一图看懂氮化镓GaN在英伟达AI数据中心里的应用划重点！“十五五”规划纲要：加快宽禁带半导体产业提质升级，推动超宽禁

通过两电子氧还原反应制备高纯过氧化氢（H₂O₂）是可持续化工合成的重要发展方向。然而，人们对电解过程中活性位点不可避免的重构现象仍缺乏本质认知，阻碍了兼具高活性与高稳定性的双功能电催化剂的开发。近日，同济大学Hongying Zhao报道了一种具有反应条件下自调控能力的结构自适应型电催化剂。文章要点1）以一系列硼/氮配位的镍单原子催化剂（NiBₓNᵧ）为模型体系，探究其结构柔性演化规律。在外加电位

3月30日晚，中微公司披露2025年年度报告。报告显示，公司全年实现营业收入123.85亿元，同比增长36.62%，经营业绩创下历史新高；实现归属于母公司所有者的净利润约21.11亿元，同比增长约30.69%。核心业务方面，2025年公司刻蚀设备销售约98.32亿元，同比增长约35.12%。截至2025年底，刻蚀设备反应台全球出货量超6800台，应用范围覆盖65纳米至3纳米及更先进制程。公司自主研

特别说明：本文由米测技术中心原创撰写，旨在分享相关科研知识。因学识有限，难免有所疏漏和错误，请读者批判性阅读，也恳请大方之家批评指正。编辑丨风云研究背景Mg3(Sb, Bi)2被视为下一代热电冷却材料的有力竞争者，具有成本低、重量轻、强度高及在中低温区性能卓越等优点，极具潜力取代传统的碲化铋基材料。关键问题目前，Mg3(Sb, Bi)2在热电材料中的应用主要存在以下问题：1、材料本质化学不稳定性M

近日，九峰山实验室在超宽禁带半导体领域取得重大进展，成功研制出基于国产同质外延片的击穿电压超过9000V的氧化镓横向MOSFET。这一成果标志着实验室在超高压氧化镓功率器件技术领域达到国际先进水平。9000V刷新氧化镓耐压世界纪录氧化镓因其超宽禁带（~4.8 eV）和高击穿电场（~8 MV/cm）特性，被公认为下一代高压功率器件的理想材料。然而，受限于材料与工艺，此前公开报道的氧化镓MOSFET击

3月31日，据上交所官网显示，长鑫科技集团股份有限公司科创板IPO中止！据悉，本次IPO中止原因系发行上市申请文件中记载的财务资料已过有效期，需要补充提交。招股书显示，长鑫科技专注于动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售。公司现已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，并可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多样化的产品方案，可以有效满足服务器、移动设备、个人电

公众号记得加星标⭐️，第一时间推送不会错过。中微公司LPCVD设备销售约5.06亿元，同比增长约224.23%。中微公司披露2025年年度报告，公司实现营收123.85亿元，同比增长36.62%；归母净利润21.11亿元，同比增长30.69%；扣非净利润15.5亿元，同比增长11.64%。针对业绩变化，中微公司表示，2025年刻蚀设备销售约98.32亿元，同比增长约35.12%；LPCVD设备销售

公众号记得加星标⭐️，第一时间推送不会错过。AI大模型参数规模持续增长，单卡算力与显存的物理上限，正倒逼AI训练集群规模持续扩容。在这场AI算力军备竞赛中，网络性能早已成为决定集群算力释放效率的关键。对于超大参数规模的AI模型而言，更高的网络带宽，能够直接大幅压缩模型训练的完成周期。 01AI算力释放的技术底座：RDMA要突破AI集群的网络性能瓶颈，RDMA技术已成为行业公认的解决方案，而这一切的