行业观察

半导体产业正步入一个非凡的成长阶段，其主要驱动力是AI基础设施，以及先进逻辑与内存组件供应的严重瓶颈。根据《麦克林报告》（McCleanReport）2026年6月更新版，全球半导体市场预计将在2026年成长98.3%，达到约1.7兆美元，并在2027年进一步扩张至超过2.2兆美元。 这并非正常的周期性复苏，而是反映出AI数据中心快速建设所带动的市场需求结构性转变。在这些数据中心中，GPU、高带宽

诺基亚（Nokia）加速布局AI数据中心基础设施，宣布收购恩智浦（NXP）位于美国亚利桑那州钱德勒市的半导体工厂，计划改造成磷化铟（InP）半导体生产线，提升光通讯组件自制能力。此举显示诺基亚正从传统电信设备商转型，抢攻AI时代数据中心高速光通讯需求。 随着数据中心内部的通讯架构从传统的铜线（Cu）迅速转向光纤，能够将电讯号与光讯号进行高效转换的InP半导体已成为光通讯设备的关键核心组件。 然而，

根据《TheInformation》报导，科技业已经从聚焦于GPU一片难求的窘境，转向CPU这项基础运算资源。亚马逊云端服务（AWS）内部今年5月已对工程团队发出示警，要求全力节省运算资源，以确保未来能持续满足客户需求。值得注意的是，这波节流令不仅锁定AI芯片，更直指长年支撑网络服务运作的传统CPU服务器。知情人士透露，AWS已对各部门下达期限，要求在今年稍晚前削减运算资源的占用比例。为了腾出算力

受惠AI服务器需求快速爆发，内存市况持续火热，促使韩国内存大厂SK海力士（SK hynix）加码扩产。 据财联社消息，SK海力士表示，将投资384亿美元在韩国本土扩张芯片业务。其中，计划在龙仁投资35.2万亿韩元（约249亿美元）用于第二阶段芯片厂建设。龙仁工厂将生产HBM及其他下一代DRAM。 SK海力士6月才公布长期投资蓝图，计划砸下600兆韩元打造龙仁半导体产业园区，并投资100兆韩元扩充清

AI需求强劲带旺被动元件市况，积层陶瓷电容（MLCC）掀起追价抢料潮。据台媒报道，业界传出，有客户为求取得足够料源，不惜加价二、三倍向国巨、村田制作所等被动元件大厂要货，形成价高者得的抢料氛围，凸显MLCC供需吃紧程度持续升高。 对此，国巨坦言，MLCC需求确实非常强劲，从产能利用率、客户新项目到长约需求，都看到市场热度持续升温，尤其AI相关客户为降低未来供应风险，有愈来愈多客户希望提前锁定产能。

会议推荐：无锡市锡山区人民政府、连科半导体有限公司、半导体信息等将于2025年9月1日到3日在江苏无锡共同组织召开第三届先进半导体材料晶体生长技术与市场研讨会，聚焦碳化硅、金刚石、氮化铝等先进半导体材料晶体生长技术，20+报告，参观三家半导体企业，欢迎参会、参展。8月20日，国内碳化硅材料龙头天岳先进成功在港交所挂牌上市，成为A+H两地上市的“碳化硅衬底第一股”。回顾其2022年登陆A股、2024

1.SiC价格史上首次低于IGBT！功率半导体大厂中报发生了哪些变化？2.苹果将iPhone 17的DRAM和NAND供应链扩展至五家公司3.轻舟必过万重山！国产半导体设备如何在深水区破内卷、谋共生1.SiC价格史上首次低于IGBT！功率半导体大厂中报发生了哪些变化？2025 年上半年，全球功率半导体市场呈现出复杂的发展态势，一方面传统巨头面临困境，另一方面中国企业凭借自身优势和市场需求实现逆势增

近期，国家知识产权局公开一批天科合达碳化硅领域核心专利，覆盖晶片加工、晶体生长、外延设备、坩埚设计、籽晶结构等全链条核心环节，全面提升碳化硅材料制备效率、良率与品质，以下为核心技术梳理。碳化硅晶片减薄方法1对待处理晶片进行粗磨处理；对待处理晶片进行精磨处理，精磨处理阶段的平均主轴进给速率不大于粗磨处理阶段的平均主轴进给速率；粗磨处理阶段和精磨处理阶段中的至少1个处理阶段包括至少2个子阶段，在后子阶

IPO先锋发现，2026年6月30日，上交所官网显示，北京天科合达半导体股份有限公司（简称：天科合达）科创板IPO申请获受理，保荐机构为中国国际金融股份有限公司，审计机构为立信会计师事务所（特殊普通合伙），律师事务所为国浩律师（杭州）事务所。IPO先锋将持续关注天科合达IPO进展！主营业务情况公司专注于第三代半导体材料碳化硅衬底及相关产品的研发、生产和销售，是国内最早实现碳化硅衬底产业化的企业。历

7月8日，证监会官网披露最新审核进展，北京通美晶体技术股份有限公司及保荐机构国泰海通证券主动撤回科创板IPO注册申请。依据资本市场相关审核规则，证监会已正式终止公司发行注册程序，这也标志着北京通美历时超四年的漫长科创板上市征途正式画上句号。据公开资料介绍，北京通美是国内高端半导体衬底材料核心企业，主营磷化铟衬底、砷化镓衬底、锗衬底等关键半导体材料的研发、生产与销售。公司核心产品适配多个前沿高端领域

MOSFET基本概述 MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)+FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)这个两个缩写组成。即通过给金属层(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压，产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，

C114讯 8月13日消息（水易）近日，Coherent公布2026财年第四季度业绩。期内，Coherent实现营收20.5亿美元，剔除此前出售相关业务部门的影响，同比增长14%，环比增长42%。该公司管理层预计2027财年第一季度的营收区间为22亿美元-24亿美元，预期到2027财年末，单季度收入将突破30亿美元。Coherent CEO Jim Anderson介绍，对2027财年的信心来自三

晶体三极管基本概述 晶体管是一种与其他电路元件结合使用时可产生电流增益、电压增益和信号功率增益的多结半导体器件。因此，晶体管称为有源器件，而二极管称为无源器件。晶体管的基本工作方式是在其两端施加电压时控制另一端的电流。晶体管两种主要类型：双极型晶体管(BJT)和场效应管(FET)。双极晶体管（Bipolar Junction Transistor-BJT)作为两种主要类型的晶体管之一，又称为半导体

扩散电流不需要外加电场，它来自载流子浓度随位置变化。单个电子或空穴仍在随机热运动，但高浓度一侧跨过观察面的粒子更多，于是群体出现净通量。读完本文，你应能判断扩散方向、电子与空穴的电流方向，以及它在PN结、BJT和光电器件中的作用。先记住一句话：扩散电流的根源不是粒子突然获得统一方向，而是浓度梯度让随机运动的统计结果不再对称。01｜随机运动为什么会形成定向结果？半导体中的载流子不断做热运动并频繁散射

SOI硅片并非在普通硅片表面覆氧化物，而是把薄硅器件层放在埋氧层之上。这个结构切断器件体区与衬底的直接导电路径，也重新安排了寄生电容、散热和体区电势。读完本文，你应能解释SOI为何更易隔离，以及BOX厚度为什么不能只按“越厚越好”判断。先记住一句话：BOX把体硅中的衬底导电路径换成绝缘隔离，同时把原来的结电容问题改写为介质耦合、散热和体区电势问题。01｜SOI硅片究竟多了哪一层？SOI是“绝缘体上