行业观察

?如果您希望可以时常见面，欢迎标星?收藏哦~美国人工智能巨擘英伟达（Nvidia）创办人、总裁兼执行长黄仁勋（Jensen Huang）宣布捐赠1,000万美元（约合15亿尼泊尔卢比）予尼泊尔「总理灾害救援基金」（Prime Minister's Disaster Relief Fund），以支援近期因波特科西河（Bhote Koshi River）与瓦拉斯（Rasuwa）地区遭受洪水灾害的救援与

?如果您希望可以时常见面，欢迎标星?收藏哦~荷兰半导体设备公司ASML的日本分公司总裁藤原正二郎周四在新闻发布会上表示，该公司计划到2030年将其在日本的员工人数从500人增加到约700人，以支持日本国内的先进芯片生产。该公司将扩大对 Rapidus 等客户的支持业务，Rapidus 计划于 2027 财年开始在日本首次大规模生产尖端的 2 纳米半导体。2024年，ASML在北海道千岁市设立了办事

?如果您希望可以时常见面，欢迎标星?收藏哦~韩国央行最新报告指出，随着三星电子与SK 海力士加速扩建国内生产设施，韩国在记忆体芯片领域相对中国的领先优势，未来恐进一步拉大。这项判断出炉之际，市场研究机构Counterpoint Research 也公布最新数据，显示中国记忆体厂长鑫存储（CXMT）已在今年第二季首度拿下全球DRAM 营收10% 的市占，正式跨过双位数门槛。根据报告，CXMT 的DR

?如果您希望可以时常见面，欢迎标星?收藏哦~SKC通过参与其在半导体玻璃基板业务领域的投资公司 Absolics 的实缴资本增资，加速产品商业化，以确保在下一代封装市场中取得早期领先地位。SKC于4日宣布，其董事会决议参与由Absolics发起的股东配售增资计划，并出资约2810亿韩元现金。SKC计划按其70.05%的股权比例认购192,416股新股。预计认购日期为今年11月24日。此次参股是SK

?如果您希望可以时常见面，欢迎标星?收藏哦~AI带动存储需求持续爆发，NAND Flash正迎来前所未有的增长周期。铠侠（Kioxia）近日举行技术说明会，首次重点展示面向AI服务器的高速NAND解决方案，希望以CXL内存模块切入部分DRAM市场，引发资本市场关注。截至4日上午，铠侠股价上涨约4%，报53,720日元，年内累计涨幅已超过415%，成为今年日本半导体板块表现最强势的个股之一。铠侠负责

?如果您希望可以时常见面，欢迎标星?收藏哦~AI数据中心建设持续升温，硅光子产业迎来新一轮爆发。法国半导体材料龙头 Soitec 于9月3日大幅上调2027财年第二季度（截至2026年9月底）业绩展望，主因是AI数据中心对硅光子（Silicon Photonics）产品需求远超预期，客户订单能见度持续提升。消息公布后，Soitec股价当天大涨逾10%，今年以来累计涨幅已接近四倍。Soitec表示，

?如果您希望可以时常见面，欢迎标星?收藏哦~AI数据中心进入Scale-Up时代，光互连的竞争焦点已不只是传输速率，更是底层材料体系的选择。在SEMICON Taiwan期间，Lumentum首席技术官（CTO）Matthew Sysak表示，磷化铟（InP）与VCSEL并非彼此取代，而是面向不同应用生态的两条技术路线。其中，InP更适合硅光、多波长DWDM等超高速光通信，而GaAs VCSEL则

?如果您希望可以时常见面，欢迎标星?收藏哦~AI服务器与先进封装需求持续爆发，PCB产业正迎来新一轮资本开支周期。从载板龙头臻鼎到高阶服务器PCB厂金像电子，两家台湾PCB大厂近日相继宣布百亿元级投资计划，合计扩产规模已超过250亿元人民币，显示AI基础设施建设正持续向PCB与载板环节传导。据台媒报道，PCB龙头臻鼎科技3日代子公司礼鼎半导体科技（深圳）公告，董事会通过投资建设先进封装载板基地，总

据韩国媒体报道，台湾台积电预计在结合高带宽存储器（ HBM ）和人工智能（AI）加速器的先进封装中，暂时仍将采用现有的微凸点封装技术，而非混合键合技术。考虑到材料研发周期，预计更精细的微凸点将持续使用到第四代末期至第五代初期的HBM产品。据材料行业2日消息，台积电已要求其材料和设备合作伙伴开发5微米级键合和底部填充技术。此举旨在进一步减少目前先进封装中使用的微凸点数量。韩国和日本的供应链已开始研发

宇航用电子封装典型失效案例分析赵立有 邓田葳 龚丹丹 朱敏蔚 孔泽斌（上海航天技术基础研究所 上海对外经贸大学 统计与信息学院）摘要：电子封装是半导体器件的重要组成部分，在宇航应用中失效问题频发。本文总结了典型的宇航用电子封装失效案例，涵盖 Au-Al 键合脱落、芯片焊接不良、镀层质量及可焊性不良、陶瓷封装热失配、电化学迁移、塑封器件分层及爆米花效应、Cu 引线可靠性问题，分析了其失效模式与机理，

AI算力狂潮正将内存巨头的竞赛从芯片产能延伸向上游硅晶圆。 据台媒电子时报报道，为应对未来晶圆涨价压力，SK海力士采取提前卡位策略并大幅增加了硅晶圆采购力度，公司2026年第二季度硅晶圆采购金额环比暴增104%，采购力度显着超越竞争对手三星电子。甚至打破长达5年的降价惯例，默许部分一级核心设备供货商涨价3%至4%。市场关注，此举与AI内存需求持续增加，以及硅晶圆价格上涨预期有关。 SK海力士此举本

据韩国经济日报报导，随着AI基础建设对高带宽内存（HBM）需求持续飙升，三星电子已将高达70%的内存产能透过长期供应协议（LTA）锁定，合约期限延伸至2031年。 这项策略正在深刻改变传统内存市场的周期性特征，同时也导致现货市场价格与长期合约价格之间出现高达4至5倍的巨大价差。 三星电子在7月的第二季财报电话会议上已明确披露这项规划。三星表示，计划将总生产能力的60%至70%透过LTA进行分配，并

β-Ga₂O₃凭借约4.8 eV的禁带宽度、约8 MV/cm的击穿场强及数倍于SiC的Baliga优值，被视为下一代高压功率器件与日盲紫外探测的重要候选材料。但其熔点约1800 ℃，高温下易分解挥发，热导率偏低且各向异性显著，并存在易解理面，对生长方法提出了特殊要求。镓仁半导体针对这一材料体系，自主研发了氧化镓专用VB法长晶设备。本文作为系列开篇，阐明垂直布里奇曼法（VB法）的基本原理及其与β-G

2026年9月，浙江绍兴诸暨，一个总投资超10亿元的6英寸磷化铟衬底量产项目完成备案，计划年产30万片，剑指高速光通信基材国产化。这并非孤例。几乎在同一时间，天津理工大学的新型VB法（坩埚下降法）完成实验室小试，将磷化铟成品率从行业平均的10%一举提升至50%以上，并启动了产业化基地建设。千里之外的衢州，总投资20亿元、年产300万片砷化镓和300万片磷化铟衬底的超大项目也正式获批。三件事发生在同

湿法刻蚀是让晶圆接触液体化学品，使目标材料转化成可溶产物并被带走。它看似只是“泡一泡”，实际轮廓取决于反应、传质、掩膜和晶向。读完本文，你能解释选择比为何是相对量、横向钻蚀为何出现，以及单晶硅为何能刻出特定斜面。一句话结论：湿法刻蚀的结果由材料选择性、方向依赖和传质—反应条件共同决定；读懂这三者，才能从槽液反推轮廓、掩膜余量与工艺风险。01｜湿法刻蚀实际在发生什么？湿法刻蚀用液体化学品去除固体材料