行业观察

共读好书据彭博社11月4日报道，阿里巴巴、腾讯、字节跳动等中国科技公司合计向英伟达订购了约600万张RTX Pro 5500显卡，订单总值接近700亿美元，但预计在未来四个月内，他们只能收到数万张，交付率约为订单总量的1%。这订单数字较此前路透社报道的超过300万张翻了一倍，意味着供应缺口比外界原先预估的更为严峻。报道援引匿名知情人士消息称，中国主要AI开发商预计首批数千张显卡将于今年底前交付，明

半导体硅晶圆市场行情明显转好。据台媒报道，有业者透露，AI推动先进制程需求强劲，硅晶圆市况比预期强，现阶段客户拉货力道优于预期，原定今年底拉完的货现在已提前拉完，部分原本要在2027年初出货的订单也提早一季开始拉货，新接订单报价「涨定了」。 据了解，硅晶圆业者正陆续与客户端洽谈新单的合约价，进度不一，但有志一同地往涨价方向前进，可望迎接三年多来首见涨价潮。即便单一业者均不对外透露目前长约签订状况，

配合中国台湾薪资发放时间，中国台湾美光同仁10月30日随10月薪资收到FY26各项奖酬，包括：年度激励奖金（IPP）、Maxout量产奖金，以及9月11日宣布的新台币100万元的一次性感谢奖金。美光表示，2026财年是公司营运缔造新高的一年，这份成果来自每一位同仁的投入；此次奖酬是公司对团队一整年努力与付出的真诚感谢，也让同仁一同分享共同创造的成果。台媒报道指出，各项奖酬依个人绩效与适用资格核发；

AMD 当季营收达134亿美元，较去年同期成长45%，高于FactSet追踪分析师预估的131亿美元。调整后每股盈余(EPS)为2.09美元，也优于市场预期的1.95美元，年增幅达74%。这波强劲表现很大一部分来自公司的数据中心业务，该部门第三季营收几乎翻倍。AMD表示，客户对其图形处理器(GPU)与服务器中央处理器(CPU)的兴趣都日益增加，而这两类产品在AI生态系中都扮演要角。分析师原本预估A

11月2日，Marvell达成一项交易，将以1150亿美元的企业价值收购数据中心光学器件制造商Lumentum Holdings——这是有史以来规模最大的科技并购之一，旨在抢占人工智能繁荣的先机。两家公司表示，交易预计将在2028年上半年完成。这笔交易表明，AI正在推动几乎所有主要行业和地区的并购浪潮——从芯片制造商和其他专业科技供应商，到数据中心运营商和电力公司。Lumentum制造激光器和其他

据韩媒《The Elec》11月2日报导，三星已通知客户，启动退出8吋晶圆制造计划，不仅停止承接新订单，并规划2030年底前关闭所有8吋生产线。原规划今年底前关闭器兴园区S7厂，保留S6、S8，如今传出全面退场时程，将人力及设备投资集中于12吋先进制程，并停止承接8吋新产品订单，惟2030年关厂期限尚待公司正式对外确认。三星8吋制程涵盖65、70、90、130及180纳米，主力产品包括显示驱动IC

近日，OpenAI CEO萨姆·奥尔特曼在社交平台回应近期的内存言论争议，称其有关个人电脑内存利用率的表态遭到断章取义。他强调，自己希望全球拥有充足的内存，也支持用户根据需要为个人电脑配置内存，并再次呼吁扩大内存产能。 这场争议源于 10 月 29 日上线的 CheekyPint 访谈。奥尔特曼在与Stripe联合创始人约翰·科里森讨论本地运行 AI 模型时表示，从全球资源配置角度看，大量供应有限

据集微网报道，因被指滥用市场地位、强迫三星电子签订采购合同，美国半导体公司博通被韩国法院终审判处罚款186.64亿韩元（约合9332 万元人民币）。韩国最高法院于2026年10月27日作出终审判决，驳回博通的上诉，维持原判。 据韩国法律界2日消息，最高法院第一庭（主审大法官千大烨）当日驳回了博通美国总部及其分支机构针对韩国公平交易委员会提起的诉讼。此前，博通曾请求法院撤销公平交易委员会的纠正命令及

据蓝鲸新闻报道，受原材料、能源、人力、物流及上游供应商成本上涨影响，恩智浦（NXP）已向经销商发函，计划对部分分销及直供产品线调价，新规自2027年1月1日生效。有经销商向记者表示，建议有确定需求的项目提前下单，锁定成本，规避调价带来的影响。 2026年以来，恩智浦已经进行了三轮调价：第一轮3月发函、4月1日生效；第二轮5月发函、6月1日生效；第三轮11月2日发函、2027年1月1日生效。 管理层

近期，磷化铟产业链再添拟2家IPO企业。磷化铟外延片企业华兴光电启动IPO；华为、小米、比亚迪押注，国内稀缺GaAs+InP双平台光芯片IDM冲刺IPO。一、磷化铟外延片企业华兴光电启动IPO证监会官网显示，11月2日，江苏半导体外延片企业华兴光电在江苏证监局办理上市辅导备案登记，启动A股IPO进程，辅导机构是广发证券。华兴光电是一家专注于化合物半导体光电子外延片研发和制造的企业，主要基于金属有机

原子层刻蚀ALE，是把表面改性和材料去除分开执行、按循环精细控制去除量的方法。理解它，关键不是记住“原子层”三个字，而是看反应何时停、下一步为何还能继续。本篇用硅的氯化与氩离子辅助去除，回答分步反应怎样把刻蚀深度变得可控。一句话结论：ALE靠有条件的自限反应与分步协同控深，不靠“把连续刻蚀调慢”，也不承诺一周期恰好去掉一整层。01｜为什么“分开”比“慢一点”更关键？连续等离子体刻蚀中，反应性物种与

PIN光电二极管把入射光变成可测的电流，常见于光功率测量和光通信接收。它并不是让光子沿导线流动，而是让半导体吸收光，再把产生的电荷分开收集。读懂P、I、N三个区域，就能解释反向偏置为何有用，以及灵敏度和速度为何不能只看一个指标。一句话结论：光先产生电子—空穴对，结区电场再分离并收集它们；PIN中的低掺杂I区，让吸收与快速收集更容易兼顾。01｜P、I、N三个区域分别做什么？P区以空穴为多数载流子，N

EUV光刻使用约13.5纳米的极紫外光，但不能把普通透镜缩小后直接装进光路：这个波段的光很容易被材料和空气吸收。曝光系统因此改用真空中的反射光学。本篇只回答一个问题：多层反射镜怎样留住足够的光，又为什么如此难制造和维护？一句话结论：EUV多层镜靠薄膜界面反射波的相干叠加提高反射率；它不是普通金属镜，反射也不意味着光能没有损失。01｜为什么不能沿用普通透镜？透镜需要光穿过实体材料，并利用折射改变传播

芯片供电入口是1伏，为什么远处的逻辑单元可能只得到0.95伏？电源不是沿着理想导线送到每个晶体管的，金属与过孔都有电阻，回流路径也会损失电压。本篇从一个简化回路出发，说明IR压降的来源、时序影响，以及静态分析不能回答哪些问题。一句话结论：IR压降来自电流流过供电网络的电阻；要检查单元实际得到的供电，必须同时看本地电源端和本地地端，而不只看入口电压。01｜电压损失发生在哪里？片上电源分配网络，简称P

封装在室温下看起来平整，到了回流焊温度却可能弯起来；焊好的器件，也可能在反复冷热变化后出现焊点裂纹。这两类问题都与热变形有关，却不能用同一个翘曲高度解释。本篇从材料热膨胀差出发，说明约束怎样引起弯曲，以及焊点分别面临什么风险。一句话结论：材料热膨胀差在约束下产生应力；是否翘曲、向哪边弯，以及焊点是否失效，还取决于结构、温度历程和局部变形。01｜膨胀系数不同，为什么不一定有应力？热膨胀系数CTE描述